[发明专利]声表面波滤波芯片封装制造方法及其结构

权利要求书

1.一种声表面波滤波芯片封装制造方法，其特征在于，包括步骤：

提供声表面波滤波芯片，其具有相对的芯片第一表面和芯片第二表面，所述芯片第一表面上设有功能区和焊盘；

在所述芯片第一表面上贴附第一膜层，并于所述第一膜层上形成暴露所述功能区的镂空区；

在所述第一膜层上贴附第二膜层，所述第一膜层和所述第二膜层组成封盖层，所述第二膜层盖设于所述镂空区上方，形成容置所述功能区的密闭空腔，所述第一膜层和所述第二膜层至少有一层为高分子聚合物；

在所述芯片第二表面上形成朝向所述芯片第一表面延伸的通孔，所述通孔底部暴露出所述焊盘；

在所述通孔内形成电性连接于所述焊盘的线路层，所述线路层延伸至所述芯片第二表面；

在所述芯片第二表面上形成电性连接于所述线路层的导电凸块。

2.根据权利要求1所述的声表面波滤波芯片封装制造方法，其特征在于，贴附的所述第一膜和第二膜层均为高分子聚合物。

3.根据权利要求2所述的声表面波滤波芯片封装制造方法，其特征在于，“形成暴露所述功能区的镂空区”具体包括：

贴附第一膜层后，对第一膜层对应于所述功能区的区域进行光刻，形成所述镂空区，暴露出所述功能区。

4.根据权利要求2所述的声表面波滤波芯片封装制造方法，其特征在于，所述第一膜层贴附于所述第二膜层后，所述第一膜层与所述第二膜层厚度之和范围为30～60μm。

5.根据权利要求4所述的声表面波滤波芯片封装制造方法，其特征在于，所述第一膜层和所述第二膜层为环氧树脂膜。

6.根据权利要求1所述的声表面波滤波芯片封装制造方法，其特征在于，“形成朝向所述芯片第一表面延伸的通孔”具体包括：

刻蚀所述芯片第二表面，形成暴露所述焊盘的阶梯型通孔。

7.根据权利要求1所述的声表面波滤波芯片封装制造方法，其特征在于，还包括步骤：

在所述线路层上形成阻焊层，所述阻焊层形成有用以设置所述导电凸块的开口。

8.一种声表面波滤波芯片封装结构，其包括声表面波滤波芯片，所述声表面波滤波芯片具有相对的芯片第一表面和芯片第二表面，所述芯片第一表面上形成有功能区和设于所述功能区周侧的焊盘，其特征在于，

所述声表面波滤波芯片封装结构还包括封盖层，所述封盖层包括第一膜层和第二膜层，所述第一膜层覆于所述芯片第一表面上，其设有暴露所述功能区的镂空区，所述第二膜层覆于所述第一膜层上，其盖设于所述镂空区形成容置所述功能区的密闭空腔，且所述第一膜层和所述第二膜层至少有一层为高分子聚合物；

所述芯片第二表面上设有导电凸块和延伸至所述芯片第一表面的通孔，所述通孔底部以及侧壁设有线路层，所述线路层延伸至所述芯片第二表面，将设于其上的导电凸块与所述焊盘电性连接。

9.根据权利要求8所述的声表面波滤波芯片封装结构，其特征在于，所述第一膜层与所述第二膜层均为高分子聚合物。

10.根据权利要求9所述的声表面波滤波芯片封装结构，其特征在于，所述封盖层的厚度范围为30～60μm。

11.根据权利要求10所述的声表面波滤波芯片封装结构，其特征在于，所述第一膜层和所述第二膜层为环氧树脂膜层。

12.根据权利要求8所述的声表面波滤波芯片封装结构，其特征在于，所述通孔为阶梯型通孔。

13.根据权利要求8所述的声表面波滤波芯片封装结构，其特征在于，所述线路层上还覆盖有阻焊层，所述阻焊层上设有用以设置所述导电凸块的开口。