[发明专利]一种环氧塑封料及其制备方法和应用

说明书

本发明公开了一种环氧塑封料及其制备方法和应用，该环氧塑封料按质量百分比计，其原料组成为：高介电无机填料50％‑90％、环氧树脂5％‑30％、固化剂2％‑25％、偶联剂0.1％‑1％、固化促进剂0.05％‑0.5％、应力吸收剂0.5％‑10％、脱模剂0.1％‑1％和阻燃剂0.2％‑5％；所述高介电无机填料为二氧化硅包覆钛酸钡粉体。本发明提供的环氧塑封料不仅具有低热膨胀系数和高耐热性，同时还兼具介电常数高、介电损耗较小、粘度低的特点。

技术领域

本发明属于集成电路电子封装技术领域，涉及一种环氧塑封料及其制备方法和应用。

背景技术

随着集成电路封装技术的不断发展，环氧塑封料作为主要的封装材料也得到了快速的发展，其基础地位和支撑地位越来越显著。环氧塑封料主要用于保护集成电路芯片不受外部环境损伤，还需具有低热膨胀系数，高可靠性。其主体成分是环氧树脂，加以固化剂、填料、固化促进剂、应力改性剂以及阻燃剂等多种助剂。

随着智能设备中指纹传感器的应用越来越广泛，对环氧塑封料的性能有了更高的要求——不仅要有传统塑封料的低热膨胀系数和高耐热性，还要有高介电常数以及低介电损耗的性质，然而目前的环氧塑封料很难同时满足以上的要求。

发明内容

为了解决上述背景技术中所提出的问题，本发明的目的在于提供一种环氧塑封料及其制备方法和应用，该环氧塑封料具有低热膨胀系数，高玻璃化转变温度，低粘度，高介电常数以及低介电损耗。

为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案为：一种环氧塑封料，按质量百分比计，其原料组成为：

高介电无机填料50％-90％、环氧树脂5％-30％、固化剂2％-25％、偶联剂0.1％-1％、固化促进剂0.05％-0.5％、应力吸收剂0.5％-10％、脱模剂0.1％-1％和阻燃剂0.2％-5％；

所述高介电无机填料为二氧化硅包覆钛酸钡无机填料。

进一步地，按质量百分比计，其原料组成为：高介电无机填料70％-90％、环氧树脂5％-15％、固化剂4％-12％、偶联剂0.1％-1％、固化促进剂0.05％-0.6％、应力吸收剂0.5％-3％、脱模剂0.1％-1％和阻燃剂0.2％-5％；

所述高介电无机填料为二氧化硅包覆钛酸钡无机填料。

进一步地，所述二氧化硅包覆钛酸钡无机填料是通过下述步骤获得：

S1：将钛酸钡均匀分散在乙酸与乙醇的混合溶液中，然后加入正硅酸四乙酯TEOS，充分搅拌分散得到混合物；

S2：调节S1中所述的混合物PH值为8-9，然后连续搅拌4-24h后，放入烘箱中干燥得到所述的二氧化硅包覆钛酸钡无机填料。

进一步地，S1中所述钛酸钡是粒径为0.5μm-50μm的球形钛酸钡。

进一步地，S1中所述乙酸与乙醇的混合溶液中乙酸与乙醇的体积比为5-10：1；

优选地，S1中所述钛酸钡、正硅酸四乙酯的质量比为0.5-20：1，优选为1-5：1。

进一步地，S1中所述搅拌的温度为20-80℃，优选为30-50℃。

进一步地，S2中所述调节S1中所述的混合物PH值所用的物质为氨水。

进一步地，S2中所述搅拌的温度为20-50℃，优选为20-30℃；

优选地，S2中所述搅拌的时间为6-10h，优选为8h；

优选地，S2中所述干燥的温度为60-90℃，优选为80℃；

优选地，S2中所述干燥的时间为10-20h，优选为12h。