[发明专利]一种晶圆匣更换装置在审

专利信息
申请号: 202011435465.1 申请日: 2020-12-10
公开(公告)号: CN114628293A 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 崔相龙;胡艳鹏;李琳 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
主分类号: H01L21/677 分类号: H01L21/677
代理公司: 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 代理人: 赵永刚
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 晶圆匣 更换 装置
【权利要求书】:

1.一种晶圆匣更换装置,其特征在于,包括:

支撑结构;

设置在所述支撑结构上的第一支撑台及第二支撑台,其中,所述第一支撑台用于放置第一晶圆匣,所述第二支撑台用于放置第二晶圆匣;

设置在所述第一支撑台下方的推片单元,所述推片单元用于将所述第一晶圆匣内的晶圆向上推出所述第一晶圆匣;

设置在所述支撑结构上且用于抓取所述推片单元所推出的晶圆的抓取及移动单元,所述抓取及移动单元还用于将所抓取的晶圆传送到所述第二晶圆匣的上方位置;

设置在所述第二支撑台下方的承接单元,所述承接单元能够向上伸出到所述第二晶圆匣的上方,以承接所述抓取及移动单元所抓取的晶圆;所述承接单元还用于在承接所述晶圆后,向下移动以将所承接的晶圆放置在所述第二晶圆匣内。

2.如权利要求1所述的晶圆匣更换装置,其特征在于,所述第一支撑台及第二支撑台的每个支撑台上均具有第一支撑单元及第二支撑单元,所述第一支撑单元用于支撑第一尺寸的晶圆匣,所述第二支撑单元用于支撑第二尺寸的晶圆匣;且所述第一尺寸大于所述第二尺寸;

所述推片单元包括:用于将所述第一尺寸的晶圆匣中的晶圆推出所述第一尺寸的晶圆匣的第一子推片单元、以及用于将所述第二尺寸的晶圆匣中的晶圆推出所述第二尺寸的晶圆匣的第二子推片单元;

所述抓取及移动装置包括:用于抓取所述第一子推片单元所推出的晶圆的第一子抓取及移动单元、以及用于抓取所述第二子推片单元所推出的晶圆的第二子抓取及移动单元;且所述第一子抓取及移动单元及第二子抓取及移动单元均能够将所抓取的晶圆移动到所述第二支撑台的上方位置;

所述承接单元包括第一子承接单元及第二子承接单元;其中,所述第一子承接单元能够向上伸出到所述第一尺寸的晶圆匣的上方,以承接所述第一子抓取及移动单元所抓取的晶圆,并向下移动以将所承接的晶圆放置在所述第一尺寸的晶圆匣内;所述第二子承接单元能够向上伸出到所述第二尺寸的晶圆匣的上方,以承接所述第二子抓取及移动单元所抓取的晶圆,并向下移动以将所承接的晶圆放置在所述第二尺寸的晶圆匣内。

3.如权利要求2所述的晶圆匣更换装置,其特征在于,所述第一支撑单元包括固定在所述支撑结构上且间隔分布的两个支撑板,所述两个支撑板用于支撑所述第一尺寸的晶圆匣的底部的两个支撑条;

所述第二支撑单元包括:位于所述两个支撑板之间且用于支撑所述第二尺寸的晶圆匣的底部的两个支撑条的框架;且所述框架滑动装配在所述支撑结构上,以使所述框架不阻挡所述第一子推手单元及第一子承接单元伸出并穿过所述第一尺寸的晶圆匣。

4.如权利要求3所述的晶圆匣更换装置,其特征在于,所述框架能够在第一设定位置及第二设定位置之间滑动;在所述框架滑动到所述第一设定位置时,所述框架位于所述推片单元或承接单元的正上方;在所述框架滑动到所述第二设定位置时,所述框架与所述第一子推片单元或第一子承接单元在竖直方向上无重合部分。

5.如权利要求3所述的晶圆匣更换装置,其特征在于,所述第一子推片单元及第一子承接单元包括:

位于所述两个支撑板之间且间隔分布的两个第一推板,所述两个第一推板用于卡住所述第一尺寸的晶圆匣中的晶圆;

位于所述两个第一推板下方且分别与所述两个第一推板固定连接的两个第一推杆,且所述两个第一推杆均能够沿竖直方向同步上下滑动。

6.如权利要求5所述的晶圆匣更换装置,其特征在于,所述第二子推片单元及第二子承接单元包括:

位于所述两个第一推板之间的第二推板,所述第二推板用于卡住所述第二尺寸的晶圆匣中的晶圆;

位于所述第二推板下方且与所述第二推板固定连接的第二推杆,且所述第二推杆能够沿竖直方向上下滑动。

7.如权利要求2所述的晶圆匣更换装置,其特征在于,所述第一子抓取及移动单元包括:

设置在所述支撑结构上且位于所述第一支撑台及第二支撑台之间的导轨;

滑动装配在所述导轨上且用于抓取所述第一子推片单元所推出的晶圆的第一抓手。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司,未经中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011435465.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top