[发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制造方法。半导体结构包括衬底；位于衬底上若干分立的下电极；位于下电极之间的第一介质层和第二介质层；其中，第二介质层位于第一介质层和下电极之间，且第二介质层的上部厚度小于第二介质层的底部厚度。通过使得第二介质层的上部厚度小于第二介质层的底部厚度，即第二介质层的底部相对于第二介质层的上部较厚，可以避免下电极的底部出现漏电流的问题，从而改善半导体结构的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的制造方法。

背景技术

随着DRAM(Dynamic Random Access Memory)厚度的不断缩小，电容下电极之间的距离越来越短，由此导致DRAM中电容的漏电流问题尤为严重，影响器件性能。

发明内容

本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，以改善半导体结构的性能。

根据本发明的第一个方面，提供了一种半导体结构，包括：

衬底；

位于衬底上若干分立的下电极；

位于下电极之间的第一介质层和第二介质层；

其中，第二介质层位于第一介质层和下电极之间，且第二介质层的上部厚度小于第二介质层的底部厚度。

可选的，第一介质层的侧壁与衬底的表面垂直。

可选的，第二介质层的表面包括侧部表面、底部表面和斜部表面，侧部表面和第一介质层直接接触，底部表面和衬底直接接触，斜部表面和下电极直接接触。

可选的，斜部表面为弧面，弧面向第二介质层内部弯曲。

可选的，第二介质层的材质包括SiCN、SiBN、SiSbN和SiPN中的至少一种。

可选的，第二介质层的高度不高于第一介质层的高度。

可选的，第二介质层的高度高于第一介质层的高度。

可选的，衬底包括若干分立的接触垫，下电极与接触垫直接接触。

可选的，半导体结构还包括：

第一支撑层，位于下电极的中部并将下电极分隔开；

第二支撑层，位于下电极的上部并将下电极分隔开；

介质层，覆盖在下电极的表面；

上电极，覆盖在介质层的表面。

可选的，第二介质层呈具有底部开口的碗状。

根据本发明的第二个方面，提供了一种半导体结构的制造方法，包括：

提供衬底；

在衬底上形成叠层结构，叠层结构包括第一介质层；

在叠层结构中形成若干电容孔，电容孔穿过第一介质层并暴露衬底；

在电容孔的底部形成初始介质层；

去除部分初始介质层形成第二介质层，第二介质层暴露衬底；

其中，初始介质层上部的去除部分大于初始介质层下部的去除部分。

可选的，叠层结构还包括第一牺牲层，第一牺牲层形成于第一介质层上；

其中，第二介质层和第一牺牲层内掺杂有相同类型的离子。

可选的，离子包括C，B，P，Sb中的至少一种。

可选的，第二介质层的高度不高于第一介质层的高度。