[发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上若干分立的下电极；

位于所述下电极之间的第一介质层和第二介质层；

其中，所述第二介质层位于所述第一介质层和所述下电极之间，且所述第二介质层的上部厚度小于所述第二介质层的底部厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层的侧壁与所述衬底的表面垂直。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二介质层的表面包括侧部表面、底部表面和斜部表面，所述侧部表面和所述第一介质层直接接触，所述底部表面和所述衬底直接接触，所述斜部表面和所述下电极直接接触。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述斜部表面为弧面，所述弧面向所述第二介质层内部弯曲。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第二介质层的材质包括SiCN、SiBN、SiSbN和SiPN中的至少一种。

6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二介质层的高度不高于所述第一介质层的高度。

7.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二介质层的高度高于所述第一介质层的高度。

8.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括若干分立的接触垫，所述下电极与所述接触垫直接接触。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

第一支撑层，位于所述下电极的中部并将所述下电极分隔开；

第二支撑层，位于所述下电极的上部并将所述下电极分隔开；

介质层，覆盖在所述下电极的表面；

上电极，覆盖在所述介质层的表面。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二介质层呈具有底部开口的碗状。

11.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成叠层结构，所述叠层结构包括第一介质层；

在所述叠层结构中形成若干电容孔，所述电容孔穿过所述第一介质层并暴露所述衬底；

在所述电容孔的底部形成初始介质层；

去除部分所述初始介质层形成第二介质层，所述第二介质层暴露所述衬底；

其中，所述初始介质层上部的去除部分大于所述初始介质层下部的去除部分。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，

所述叠层结构还包括第一牺牲层，所述第一牺牲层形成于所述第一介质层上；

其中，所述第二介质层和所述第一牺牲层内掺杂有相同类型的离子。

13.根据权利要求12所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，

所述离子包括C，B，P，Sb中的至少一种。

14.根据权利要求12所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，

所述第二介质层的高度不高于所述第一介质层的高度。

15.根据权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，

所述叠层结构还包括第一牺牲层，所述第一牺牲层形成于所述第一介质层上；

其中，所述第二介质层和所述第一牺牲层内掺杂有不同类型的离子，所述第二介质层的高度高于所述第一介质层的高度。