[发明专利]一种薄膜图形化工艺方法、复合薄膜及电子元器件有效
申请号: | 202011431053.0 | 申请日: | 2020-12-09 |
公开(公告)号: | CN112542379B | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 李真宇;张秀全;李洋洋;杨超;韩智勇 | 申请(专利权)人: | 济南晶正电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01L21/3213;H01L41/187;H01L41/332 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 逯长明;许伟群 |
地址: | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 图形 化工 方法 复合 电子元器件 | ||
本申请公开一种薄膜图形化工艺方法、复合薄膜及电子元器件,包括:由薄膜基体的离子注入面向薄膜基体内进行第一离子注入,在薄膜基体内形成薄膜层、分离层和余质层;将衬底基板与薄膜基体的离子注入面键合,得到第一键合体;对第一键合体热处理或机械拉扯处理,使余质层从第一键合体上剥离,得到第二键合体,第二键合体包括层叠的薄膜层和衬底基板;按照目标图形,对第二键合体中薄膜层进行刻蚀处理,得到具有目标图形的薄膜层;对经过刻蚀处理后的第二键合体退火处理。利用薄膜层内存在晶格损伤,从而薄膜层的物理特性有所衰减,因此,在退火处理前,按照目标图形,对第二键合体中薄膜层进行刻蚀处理,可以大大降低刻蚀难度,提高刻蚀速率。
技术领域
本申请涉及半导体制备技术领域,尤其涉及一种薄膜图形化工艺方法、复合薄膜及电子元器件。
背景技术
铌酸锂或钽酸锂等晶体材料由于具有居里温度高、自发极化强、机电耦合系数高、优异的电光效应等优点,而被广泛的应用于非线性光学、铁电、压电、电光等领域,尤其在薄膜体声波器件、滤波器、调制器等领域受到越来越广泛的关注和应用。如果利用铌酸锂或钽酸锂等晶体材料制备薄膜体声波器件、滤波器、调制器等电子器件,为满足电子器件不同应用场景的需求,一般需要采用具有特定图形的薄膜层。
目前,制备具有图形的薄膜层的方法主要包括如下步骤:首先,利用离子注入法和键合法,制备得到包括衬底层和薄膜层的键合体;然后,对键合体进行高温退火处理,以恢复离子注入时薄膜层被离子轰击产生的晶格损伤;最后对经过高温退火处理后的薄膜层进行刻蚀处理,得到具有目标图形的薄膜层。
但是,由于铌酸锂和钽酸锂本身具有物理和化学性质都非常稳定的特性,因此,在薄膜层上刻蚀图形非常困难,并会对薄膜层造成一定的损伤,从而影响应用的电子器件的信噪比、啁啾、耦合效率等。
发明内容
为解决现有技术中,由于铌酸锂和钽酸锂本身具有物理和化学性质都非常稳定的特性,因此,在薄膜层上刻蚀图形非常困难,并会对薄膜层造成一定的损伤,从而影响应用的电子器件的信噪比、啁啾、耦合效率等问题,本申请提供一种薄膜图形化工艺方法、复合薄膜及电子元器件。
第一方面,本申请提供的一种薄膜图形化工艺方法,包括:
由薄膜基体的离子注入面向所述薄膜基体内进行第一离子注入,在所述薄膜基体内形成薄膜层、分离层和余质层;
将衬底基板与薄膜基体的离子注入面键合,得到第一键合体;
对所述第一键合体热处理或机械拉扯处理,使所述余质层从所述第一键合体上剥离,得到第二键合体,所述第二键合体包括层叠的薄膜层和衬底基板;
按照目标图形,对所述第二键合体中薄膜层进行刻蚀处理,得到具有目标图形的薄膜层;
对经过刻蚀处理后的第二键合体退火处理,其中,所述退火处理的退火温度大于对所述第一键合体热处理的温度。
进一步地,在所述将衬底基板与薄膜基体的离子注入面键合步骤之前,还包括:
由薄膜基体的离子注入面向所述薄膜基体内进行第二离子注入,所述第二离子注入的注入离子质量大于所述第一离子注入的注入离子质量,且,所述第二离子注入的注入深度大于所述第一离子注入的注入深度。
进一步地,在所述对所述第一键合体热处理或机械拉扯处理,使所述余质层从所述第一键合体上剥离,得到第二键合体步骤之后,还包括:
由所述薄膜层向所述衬底基板进行第二离子注入,所述第二离子注入的注入离子质量大于所述第一离子注入的注入离子质量,且,所述第二离子注入的注入深度大于所述第一离子注入的注入深度。
进一步地,在所述按照目标图形,对所述第二键合体中薄膜层进行刻蚀处理步骤之前,还包括;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南晶正电子科技有限公司,未经济南晶正电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011431053.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造