[发明专利]一种薄膜图形化工艺方法、复合薄膜及电子元器件

权利要求书

1.一种薄膜图形化工艺方法，其特征在于，包括：

由薄膜基体的离子注入面向所述薄膜基体内进行第一离子注入，在所述薄膜基体内形成薄膜层、分离层和余质层；

将衬底基板与薄膜基体的离子注入面键合，得到第一键合体；

对所述第一键合体热处理或机械拉扯处理，使所述余质层从所述第一键合体上剥离，得到第二键合体，所述第二键合体包括层叠的薄膜层和衬底基板；

按照目标图形，对所述第二键合体中薄膜层进行刻蚀处理，得到具有目标图形的薄膜层；

对经过刻蚀处理后的第二键合体退火处理，其中，所述退火处理的退火温度大于对所述第一键合体热处理的温度。

2.根据权利要求1所述的薄膜图形化工艺方法，其特征在于，在所述将衬底基板与薄膜基体的离子注入面键合步骤之前，还包括：

由薄膜基体的离子注入面向所述薄膜基体内进行第二离子注入，所述第二离子注入的注入离子质量大于所述第一离子注入的注入离子质量，且，所述第二离子注入的注入深度大于所述第一离子注入的注入深度。

3.根据权利要求1所述的薄膜图形化工艺方法，其特征在于，在所述对所述第一键合体热处理或机械拉扯处理，使所述余质层从所述第一键合体上剥离，得到第二键合体步骤之后，还包括：

由所述薄膜层向所述衬底基板进行第二离子注入，所述第二离子注入的注入离子质量大于所述第一离子注入的注入离子质量，且，所述第二离子注入的注入深度大于所述第一离子注入的注入深度。

4.根据权利要求1、2或3所述的薄膜图形化工艺方法，其特征在于，在所述按照目标图形，对所述第二键合体中薄膜层进行刻蚀处理步骤之前，还包括；

对所述第二键合体预退火处理，其中，所述预退火处理的退火温度小于所述退火处理的退火温度，且所述预退火处理的退火温度大于对所述第一键合体热处理的温度。

5.根据权利要求2所述的薄膜图形化工艺方法，其特征在于，所述第一离子注入的注入离子为氢离子或氦离子，所述第二离子注入的注入离子为氧离子、氮离子、氩离子、氟离子、氖离子或碳离子。

6.根据权利要求2所述的薄膜图形化工艺方法，其特征在于，所述第二离子注入的注入能量大于所述第一离子注入的注入能量。

7.根据权利要求1所述的薄膜图形化工艺方法，其特征在于，所述衬底基板与薄膜基体之间还制备有隔离层。

8.根据权利要求4所述的薄膜图形化工艺方法，其特征在于，对所述第一键合体热处理的温度为150℃～300℃，对所述第二键合体预退火处理的退火温度为150-700℃，所述退火处理的退火温度为300℃～800℃。

9.一种复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜通过权利要求1-8任一项所述的薄膜图形化工艺方法制备。

10.一种电子元器件，其特征在于，所述电子元器件包括权利要求9所述复合薄膜。