[发明专利]耐高温保护膜及其制备工艺、ITO导电膜

说明书

本发明公开了一种耐高温保护膜及其制备工艺、ITO导电膜，耐高温保护膜包括保护膜基材层、覆盖于所述保护膜基材层上的胶黏剂层，所述胶黏剂层为丙烯酸类胶黏剂层，所述胶黏剂层为掺杂了2‑8wt%六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯或者2‑8wt%四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯的丙烯酸类胶黏剂层，厚度为4‑30μm。耐高温保护膜与使用同材质基材的ITO导电膜具有较相匹配的热收缩率，可大大提高制程良率，确保ITO导电膜应用制程的平整性，保障ITO导电膜应用制程顺畅；并具有优异的耐温性能，经过ITO导电膜应用制程高温，避免耐高温保护膜分离或撕除困难，无残胶转移到ITO膜上，确保产品质量，且确保ITO导电膜HC面表面能衰减较小，保障优异的印刷性能，制程良率高，产品性能更好。

技术领域

本发明涉及导电膜领域，尤其涉及耐高温保护膜及其制备工艺、ITO导电膜。

背景技术

导电膜是指采用磁控溅射的方法，在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品；导电膜分为ITO导电玻璃、ITO导电膜及非ITO导电膜三大类；其中，ITO导电膜应用最为广泛。在制作工艺中，ITO导电膜的主体基材表面不耐划伤、易受污染，因此在制作导电膜的时候需要通过一个特定的保护膜对其表面起防止划伤和污染的作用。

ITO导电膜由于制作工艺的特殊性，制程中需经受高温处理，高温处理过程对于产品是一个极其严格的考验，第一，高温处理的时候保护膜的胶水容易产生残胶和颗粒状不良导致成品质量不合格，第二，高温处理过程极易造成ITO导电膜发生翘曲，严重影响产品质量甚至造成残次品。所以，要推广ITO导电膜，克服上述不利已经迫在眉睫。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种耐高温保护膜的制备工艺。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种ITO导电膜专用的耐高温保护膜的制备工艺，包括如下步骤：

步骤一、放卷将保护膜基材层展开铺平，所述保护膜基材层厚度为23um-188um，高温测试150℃*1h*3次，每次静置30min以上，雾度变化△H≤3%；

步骤二、在保护膜基材层上涂布一层胶黏剂层，胶黏剂为掺杂了2-8wt%六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯的丙烯酸类胶黏剂，或者为掺杂了 2-8wt% 四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯的丙烯酸类胶黏剂；

步骤三、将涂布了胶黏剂层的保护膜基材层以15-25m/min的速度在30m长的烘道内烘干，30m烘道分为5m*6节，1-6节烘箱的温度阶梯设置，分别为40-50℃、60-70℃、100-110℃、125-130℃、125-130℃、100-110℃，烘干后所述胶黏剂层厚度为4-30μm；

步骤四、在胶黏剂层上再覆盖使用时撕除的离型保护膜，并收卷；

步骤五、收卷后存放在温度为45℃的老化房中熟化72h，制得所述耐高温保护膜。

本发明还要解决的技术问题是提供一种由所述耐高温保护膜的制备工艺制作而出的耐高温保护膜。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种由所述耐高温保护膜的制备工艺制作而出的耐高温保护膜，专用于ITO导电膜制程保护，包括保护膜基材层、覆盖于所述保护膜基材层上的胶黏剂层、覆盖于所述胶黏剂层上使用时撕除的离型保护膜，所述保护膜基材层厚度为23um-188um，高温测试150℃*1h*3次，每次静置30min以上，雾度变化△H≤3%，所述胶黏剂层为丙烯酸类胶黏剂层，所述胶黏剂层为掺杂了2-8wt%六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯或者2-8wt% 四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯的丙烯酸类胶黏剂层，厚度为4-30μm。

在某些实施方式中，所述胶黏剂层厚度为8-15μm。

本发明还要解决的技术问题是提供一种包含所述耐高温保护膜的ITO导电膜。