[发明专利]耐高温保护膜及其制备工艺、ITO导电膜

权利要求书

1.一种ITO导电膜专用的耐高温保护膜的制备工艺，其特征在于：包括如下步骤 ：

步骤一、放卷将保护膜基材层展开铺平，所述保护膜基材层厚度为23um-188um，高温测试150℃*1h*3次，每次静置30min以上，雾度变化△H≤3%；

步骤二、在保护膜基材层上涂布一层胶黏剂层，胶黏剂为掺杂了2-8wt%六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯的丙烯酸类胶黏剂，或者为掺杂了 2-8wt% 四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯的丙烯酸类胶黏剂；

步骤三、将涂布了胶黏剂层的保护膜基材层以15-25m/min的速度在30m长的烘道内烘干，30m烘道分为5m*6节，1-6节烘箱的温度阶梯设置，分别为40-50℃、60-70℃、100-110℃、125-130℃、125-130℃、100-110℃，烘干后所述胶黏剂层厚度为4-30μm；

步骤四、在胶黏剂层上再覆盖使用时撕除的离型保护膜，并收卷；

步骤五、收卷后存放在温度为45℃的老化房中熟化72h，制得所述耐高温保护膜。

2.一种由权利要求1所述的制备工艺制作而出的耐高温保护膜，专用于ITO导电膜制程保护，其特征在于：包括保护膜基材层（10）、覆盖于所述保护膜基材层（10）上的胶黏剂层（11）、覆盖于所述胶黏剂层（11）上使用时撕除的离型保护膜，所述保护膜基材层（10）厚度为23um-188um，高温测试150℃*1h*3次，每次静置30min以上，雾度变化△H≤3%，所述胶黏剂层（11）为丙烯酸类胶黏剂层，所述胶黏剂层（11）为掺杂了2-8wt%六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯或者2-8wt% 四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯的丙烯酸类胶黏剂层，厚度为4-30μm。

3.根据权利要求2所述的耐高温保护膜，其特征在于：所述胶黏剂层（11）厚度为8-15μm。

4.一种ITO导电膜，使用了权利要求2-3中任意一项所述的耐高温保护膜，其特征在于：还包括ITO导电膜本体，所述耐高温保护膜贴附于ITO导电膜本体上，ITO导电膜本体包括导电膜基材层（13）、分别覆盖于所述导电膜基材层（13）正反两面的ITO层（14）和HC层（12），所述胶黏剂层（11）黏结覆盖在所述HC层（12）上，所述保护膜基材层（10）与所述导电膜基材层（13）材质相同。

5.根据权利要求4所述的ITO导电膜，其特征在于：所述保护膜基材层（10）为PET层、COP层、PI层或PC层。

6.根据权利要求5所述的ITO导电膜，其特征在于：涂布有所述胶黏剂层（11）的保护膜基材层（10）经过150℃*30min后的热收缩率TD1、MD1，与ITO导电膜本体的热收缩TD2、MD2相匹配：-0.2%≤（TD1-TD2）≤0.3%，-0.2%≤（MD1-MD2）≤0.3%。

7.根据权利要求6所述的ITO导电膜，其特征在于：涂布有所述胶黏剂层（11）的保护膜基材层（10）经过150℃*30min后的热收缩率TD1、MD1，与ITO导电膜本体的热收缩TD2、MD2相匹配：-0.1%≤（TD1-TD2）≤0.1%，-0.1%≤（MD1-MD2）≤0.1%。

8.根据权利要求5所述的ITO导电膜，其特征在于：经耐高温测试，150℃*1h*3次，每次静置30min以上，所述胶黏剂层（11）对HC面剥离力5-40g/25mm，HC面表面达因值≥32dyn。

9.根据权利要求8所述的ITO导电膜，其特征在于：经耐高温测试，150℃*1h*3次，每次静置30min以上，所述胶黏剂层（11）对HC面剥离力为10-30g/25mm，HC面表面达因值≥34dyn。

10.根据权利要求9所述的ITO导电膜，其特征在于：经耐高温测试，150℃*1h*3次，每次静置30min以上，所述胶黏剂层（11）对HC面剥离无残胶。