[发明专利]一种高强度电子铜箔制备方法在审
| 申请号： | 202011421257.6 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112680751A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 金荣涛;杨红光;王小东 | 申请（专利权）人： | 九江德福科技股份有限公司;甘肃德福新材料有限公司 |
| 主分类号： | C25D1/04 | 分类号： | C25D1/04 |
| 代理公司： | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人： | 秦月贞 |
| 地址： | 332000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 强度 电子 铜箔 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高强度电子铜箔制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1，将铜杆、铜线、氯化物用硫酸溶解成水溶液，作为主电解液，所述主电解液中铜、硫酸的含量分别为60-100g/L、70-160g/L、0-25mg/L；
步骤S2，向主电解液中放入添加剂，所述添加剂包含A剂、B剂、C剂，所述A剂、B剂、C剂的浓度分别为3-50mg/L、5-80 mg/L、1-20mg/L，所述A剂至少含有四氢噻唑硫酮(H1)、脂肪胺乙氧基磺化物(AESS)、巯基咪唑丙磺酸钠(MESS)、偶氮嗪染料(MDD)中的一种，所述B剂至少含有聚二硫二丙烷磺酸钠（SPS）、3-巯基-1-丙烷磺酸钠(MPS)、醇硫基丙烷磺酸钠（HP）、二甲基甲酰胺基磺酸钠（TPS）、噻咪啉基二硫代丙烷磺酸（SH110）、2-巯基苯并咪唑中的一种，所述C剂至少含有聚乙二醇（P）、十二烷基苯磺酸钠（SDBS）中的一种；
步骤S3，在温度为35-65℃、流量为45m-503/h、电流密度为2000-8200A/m2的条件下，对放有添加剂的主电解液进行电解；
步骤S4：主电解液电解在阴极上电沉积厚度9-105um，得到高强度电子铜箔。
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