[发明专利]一种芯片封装结构及芯片封装方法有效

专利信息
申请号: 202011415922.0 申请日: 2020-12-04
公开(公告)号: CN112652588B 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 曹啸;李成;陆洋;董健;陈伯昌;魏淼辰 申请(专利权)人: 海光信息技术股份有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L25/18;H01L21/50
代理公司: 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 代理人: 张仲波
地址: 300000 天津市滨海新区天津华苑*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 封装 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:基板,在所述基板的第一侧设有逻辑芯片和内存芯片,所述逻辑芯片和所述内存芯片间隔设置;

在所述基板的第一侧还设有金属散热片;所述金属散热片包括散热片本体,在所述散热片本体的底部设有散热凸块,所述散热凸块与所述逻辑芯片和/或内存芯片相对应;

所述散热凸块包括逻辑芯片散热凸块和内存芯片散热凸块,所述逻辑芯片散热凸块与所述逻辑芯片相对应,所述内存芯片散热凸块与所述内存芯片相对应;

所述逻辑芯片散热凸块和所述内存芯片散热凸块之间具有散热腔;

在逻辑芯片散热凸块和内存芯片散热凸块的侧部开设有散热孔,散热孔与散热腔相连通。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述逻辑芯片的厚度小于所述内存芯片的厚度,所述逻辑芯片散热凸块的厚度大于所述内存芯片散热凸块的厚度。

3.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,在所述逻辑芯片散热凸块和所述逻辑芯片之间设有第一散热材料,所述第一散热材料与所述逻辑芯片散热凸块的底部和所述逻辑芯片的上表面相接触;

在所述内存芯片散热凸块和所述内存芯片之间设有第二散热材料,所述第二散热材料与所述内存芯片散热凸块的底部和所述内存芯片的上表面相接触。

4.根据权利要求3所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一散热材料和/或所述第二散热材料为金属铟片、导热硅脂或导热胶。

5.根据权利要求4所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一散热材料为金属铟片,在所述金属铟片和所述逻辑芯片散热凸块的底部之间设有助焊剂。

6.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,在所述散热片本体上设有支腿,所述支腿支撑在所述基板上。

7.一种芯片封装方法,其特征在于,包括:

在基板的第一侧设置逻辑芯片和内存芯片;

在所述基板的第一侧设置金属散热片,使所述金属散热片底部的散热凸块与所述逻辑芯片和/或内存芯片相对应;所述散热凸块包括逻辑芯片散热凸块和内存芯片散热凸块;所述逻辑芯片散热凸块和所述内存芯片散热凸块之间具有散热腔;在逻辑芯片散热凸块和内存芯片散热凸块的侧部开设有散热孔,散热孔与散热腔相连通;

所述在所述基板的第一侧设置金属散热片,使所述金属散热片底部的散热凸块与所述逻辑芯片和/或内存芯片相对应,包括:

在所述基板的第一侧设置金属散热片,使所述金属散热片底部的逻辑芯片散热凸块与所述逻辑芯片相对应,使所述金属散热片底部的内存芯片散热凸块与所述内存芯片相对应。

8.根据权利要求7所述的芯片封装方法,其特征在于,在所述基板的第一侧设置金属散热片之前,所述方法还包括:在所述逻辑芯片上表面设置第一散热材料,以使所述逻辑芯片散热凸块的底部与所述第一散热材料相接触;在所述内存芯片上表面设置第二散热材料,以使所述内存芯片散热凸块的底部与所述第二散热材料相接触。

9.根据权利要求8所述的芯片封装方法,其特征在于,

所述第一散热材料为金属铟片,所述第二散热材料为导热硅脂或导热胶;

在所述逻辑芯片上表面设置第一散热材料之后,在所述基板的第一侧设置金属散热片之前,所述方法还包括:在所述金属铟片的上表面设置助焊剂;

其中,所述使所述逻辑芯片散热凸块的底部与所述第一散热材料相接触包括:使所述逻辑芯片散热凸块的底部通过所述助焊剂与所述第一散热材料相接触。

10.根据权利要求9所述的芯片封装方法,其特征在于,在所述基板的第一侧设置金属散热片之后,所述方法还包括:

进行回流焊处理,以通过所述助焊剂将所述逻辑芯片散热凸块和所述金属铟片焊接在一起。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海光信息技术股份有限公司,未经海光信息技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011415922.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top