[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

说明书

本发明提供一种阵列基板的制造方法及其制造方法，阵列基板的制造方法包括如下步骤：S1：形成图案化的栅金属层；S2：形成栅极绝缘层；S3：形成半导体层；S4：形成源漏垫层；S5：沉积第一绝缘层；S6：形成第一接触孔；S7：形成公共电极；S8：形成第二接触孔，第二接触孔和第一接触孔相互连通；S9：形成像素电极，像素电极通过第二接触孔与公共电极接触，像素电极通过第三接触孔与栅金属层接触。本发明阵列基板通过在公共电极下刻蚀有机绝缘层和第一绝缘层，以减小深浅接触孔之间的段差，减少公共电极的过刻问题；同时增加了位于半导体层上的源漏垫层，以便像素电极发生过刻蚀，通过源漏垫层和公共电极连接。

技术领域

本发明涉及一种面板显示的技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示装置是目前使用最广泛的一种平板显示装置，液晶显示面板包括相对设置的阵列基板及彩膜基板，其中阵列基板的制造是通过多道构图工艺从而形成多个薄膜图形，每一道构图工艺都包括掩膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺，为了降低液晶显示面板的价格和提高产品的良率，技术人员都在致力于减少构图工艺的次数。

通常，采用IGZO半导体的阵列基板采用9道光罩工艺制成，为降低物料成本，开发了7道光罩工艺，7道光罩工艺减少了刻蚀阻挡层ES和栅极绝缘层GI层光罩为7道光罩工艺，具体包括步骤：第1道光罩在衬底基板10上形成栅金属层11、整面覆盖栅极绝缘层12、第2道光罩形成氧化物半导体层(图未示)、第3道光罩形成源漏金属层(图未示)、整面覆盖形成第一绝缘层14、形成有机绝缘层15、第4道光罩形成公共电极16、形成第二绝缘层17、第5道光罩形成穿过第二绝缘层17且位于公共电极16上的第一接触孔H1、第6道光罩形成穿过第二绝缘层17、有机绝缘层15、第一绝缘层14和栅极绝缘层12且位于栅金属层11上的第二接触孔H2以及第7道光罩形成像素电极18。

其中，公共电极16和栅金属层11通过像素电极18跳层连接：公共电极16通过第二绝缘层17上开设第一接触孔H1，第一接触孔H1连接公共电极16和像素电极18；像素电极18通过第二绝缘层17、有机绝缘层15、第一绝缘层14和栅极绝缘层12的第二接触孔H2，像素电极18通过第二接触孔H2与漏极连接。

第一接触孔H1为浅孔，第二接触孔H2为深孔，第一接触孔H1和第二接触孔H2的段差较大，往往会引起第一接触孔H1下的公共电极16过刻，导致公共电极16缺失、无法与像素电极18有效接触，从而影响公共电极和栅金属层的连通。

发明内容

本发明的目的在于提供一种减少公共电极过刻的阵列基板及其制造方法。

本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括如下步骤：

S1：在玻璃基板上沉积第一金属层，对第一金属层进行刻蚀形成图案化的栅金属层；

S2：沉积覆盖栅金属层的栅极绝缘层；

S3：在栅极绝缘层上形成半导体层；

S4：沉积第二金属层，对第二金属层进行刻蚀形成分别与半导体层接触的源极和漏极、以及位于半导体层上方的源漏垫层；

S5：沉积覆盖第二金属层的第一绝缘层；

S6：首先沉积覆盖第一绝缘层的有机绝缘层；然后对有机绝缘层和第一绝缘层进行刻蚀并形成位于源漏垫层上的第一接触孔；

S7：首先沉积透明导电材料层，然后对透明导电材料层进行刻蚀形成位于第一接触孔内的公共电极，公共电极通过第一接触孔与源漏垫层连接；

S8：首先沉积第二绝缘层，然后对位于第一接触孔的第二绝缘层进行刻蚀并形成位于公共电极上的第二接触孔，同时对第二绝缘层、有机绝缘层、第一绝缘层和栅极绝缘层进行刻蚀并形成位于栅金属层上的第三接触孔，第二接触孔和第一接触孔相互连通；