[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：在玻璃基板上沉积第一金属层，对第一金属层进行刻蚀形成图案化的栅金属层；

S2：沉积覆盖栅金属层的栅极绝缘层；

S3：在栅极绝缘层上形成半导体层；

S4：沉积第二金属层，对第二金属层进行刻蚀形成分别与半导体层接触的源极和漏极、以及位于半导体层上方的源漏垫层；

S5：沉积覆盖第二金属层的第一绝缘层；

S6：首先沉积覆盖第一绝缘层的有机绝缘层；然后对有机绝缘层和第一绝缘层进行刻蚀并形成位于源漏垫层上的第一接触孔；

S7：首先沉积透明导电材料层，然后对透明导电材料层进行刻蚀形成位于第一接触孔内的公共电极，公共电极通过第一接触孔与源漏垫层连接；

S8：首先沉积第二绝缘层，然后对位于第一接触孔的第二绝缘层进行刻蚀并形成位于公共电极上的第二接触孔，同时对第二绝缘层、有机绝缘层、第一绝缘层和栅极绝缘层进行刻蚀并形成位于栅金属层上的第三接触孔，第二接触孔和第一接触孔相互连通；

S9：首先沉积透明导电材料层，然后对透明导电材料层进行刻蚀形成像素电极，像素电极通过第二接触孔与公共电极接触，像素电极通过第三接触孔与栅金属层接触。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，步骤S4中，源漏垫层的长度为d1；步骤S6中，第一接触孔刻蚀掉有机绝缘层处的宽度为d2；步骤S8中，第二接触孔刻蚀掉公共电极处的宽度为d3；其中，d1＞d2＞d3。

3.一种阵列基板，其特征在于，由权利要求1所述的步骤S1至S9制成。

4.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：在玻璃基板上沉积第一金属层，对第一金属层进行刻蚀形成图案化的栅金属层；

S2：沉积覆盖栅金属层的栅极绝缘层；

S3：在栅极绝缘层上形成半导体层；

S4：沉积第二金属层，对第二金属层进行刻蚀形成分别与半导体层接触的源极和漏极、以及位于半导体层上方的源漏垫层；

S5：沉积覆盖第二金属层的第一绝缘层；

S6：首先沉积覆盖第一绝缘层的有机绝缘层；然后对有机绝缘层和第一绝缘层进行刻蚀并形成位于源漏垫层上的第一接触孔；

S7：首先沉积透明导电材料层，然后对透明导电材料层进行刻蚀形成位于第一接触孔内的公共电极，公共电极通过第一接触孔与源漏垫层连接；

S8：首先沉积第二绝缘层，然后对位于第一接触孔的第二绝缘层和公共电极进行刻蚀并形成位于源漏垫层上的第二接触孔，同时对第二绝缘层、有机绝缘层、第一绝缘层和栅极绝缘层进行刻蚀并形成位于栅金属层上的第三接触孔，第二接触孔和第一接触孔相互连通；

S9：首先沉积透明导电材料层，然后对透明导电材料层进行刻蚀形成像素电极，像素电极通过第二接触孔与公共电极接触，像素电极通过第三接触孔与栅金属层接触。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，步骤S4中，源漏垫层的长度为d1；步骤S6中，第一接触孔刻蚀掉有机绝缘层处的宽度为d2；步骤S8中，第二接触孔刻蚀掉公共电极处的宽度为d3；其中，d1＞d2＞d3。

6.一种阵列基板，其特征在于，由权利要求4所述的步骤S1至S9制成。