[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：

提供基底包含第一区域以及第二区域；

形成第一鳍状结构于该第一区域上；

去除部分该第一鳍状结构以形成第一凹槽；

形成介电层于该第一凹槽内以形成双扩散隔离结构；以及

形成第一栅极结构以及第二栅极结构于该双扩散隔离结构上，其中该第一栅极结构底表面低于该第一鳍状结构顶表面。

2.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成该第一鳍状结构于该第一区域以及第二鳍状结构于该第二区域；

去除部分该第一鳍状结构以及部分该第二鳍状结构以形成该第一凹槽以及第二凹槽；

形成该双扩散隔离结构于该第一凹槽内以及单扩散隔离结构于该第二凹槽内；以及

形成该第一栅极结构以及该第二栅极结构于该双扩散隔离结构上以及第三栅极结构于该单扩散隔离结构上。

3.如权利要求2所述的方法，其中该第三栅极结构底表面低于该第二鳍状结构顶表面。

4.如权利要求2所述的方法，另包含：

形成第一源极/漏极区域于该第一栅极结构以及该第二栅极结构旁以及第二源极/漏极区域于该第三栅极结构旁；以及

进行金属栅极置换制作工艺将该第一栅极结构、该第二栅极结构以及该第三栅极结构转换为第一金属栅极、第二金属栅极以及第三金属栅极。

5.如权利要求2所述的方法，其中形成第一栅极结构以及该第二栅极结构的步骤包含：

形成栅极材料层于该双扩散隔离结构上；以及

图案化该栅极材料层以形成该第一栅极结构、该第二栅极结构以及该第三栅极结构。

6.如权利要求5所述的方法，另包含进行侧壁图案转移制作工艺以图案化该栅极材料层。

7.如权利要求1所述的方法，其中该第一栅极结构重叠该第一鳍状结构以及该双扩散隔离结构。

8.如权利要求1所述的方法，其中该第二栅极结构重叠该第一鳍状结构以及该双扩散隔离结构。

9.如权利要求2所述的方法，其中该第一栅极结构宽度等于该第三栅极结构宽度。

10.如权利要求1所述的方法，其中该第一栅极结构宽度等于该第二栅极结构宽度。

11.如权利要求1所述的方法，其中该第一区域包含NMOS区域且该第二区域包含PMOS区域。

12.一种半导体元件，其特征在于，包含：

基底，包含第一区域以及第二区域；

第一鳍状结构，设于该第一区域上；

双扩散隔离结构，设于该第一鳍状结构内并将该第一鳍状结构分隔为第一部分以及第二部分；以及

第一栅极结构以及第二栅极结构，设于该双扩散隔离结构上，其中该第一栅极结构底表面低于该第一鳍状结构顶表面。

13.如权利要求12所述的半导体元件，其中该第一栅极结构重叠该第一部分以及该双扩散隔离结构。

14.如权利要求12所述的半导体元件，其中该第二栅极结构重叠该第二部分以及该双扩散隔离结构。

15.如权利要求12所述的半导体元件，另包含：

第二鳍状结构，设于该第二区域；

单扩散隔离结构，设于该第二鳍状结构内并将该第二鳍状结构分隔为第三部分以及第四部分；以及

第三栅极结构，设于该单扩散隔离结构上。

16.如权利要求15所述的半导体元件，其中该第三栅极结构底表面低于该第二鳍状结构顶表面。