[发明专利]层压体的制造方法在审

专利信息
申请号: 202011410337.1 申请日: 2020-12-04
公开(公告)号: CN113665218A 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 福岛和宏 申请(专利权)人: 普洛梅特库株式会社
主分类号: B32B37/10 分类号: B32B37/10;B32B37/06;B32B37/12;B32B38/00;B32B37/00;B32B15/20;B32B15/08;B32B33/00;H05K1/02
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 金杨;李雪
地址: 日本京都府京*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 层压 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种层压体的制造方法,该层压体为由铜箔和绝缘性聚合物层压而成,其特征在于:

该层压体的制造方法包括:利用溅射法在真空室内在所述铜箔的表面上形成铜扩散阻挡层的工序(A)、以及将所述绝缘性聚合物层压在表面已形成有所述铜扩散阻挡层的铜箔上的工序(B),

所述工序(A)包括:将水蒸气引入所述真空室内,在所述铜扩散阻挡层的表面上形成构成该铜扩散阻挡层的金属的氢氧化物的工序。

2.根据权利要求1所述的层压体的制造方法,其特征在于:

所述工序(A)包括将硅烷偶联剂涂布在所述氢氧化物的表面的工序。

3.根据权利要求1或2所述的层压体的制造方法,其特征在于:

形成所述铜扩散阻挡层的金属为镍或含有铬的镍合金。

4.根据权利要求1或2所述的层压体的制造方法,其特征在于:

在所述工序(A)中,所述氢氧化物覆盖所述铜扩散阻挡层的表面的50%以上。

5.根据权利要求2所述的层压体的制造方法,其特征在于:

所述将硅烷偶联剂涂布在所述氢氧化物的表面上的工序,通过将所述硅烷偶联剂蒸气引入真空室内来进行,

在所述工序(A)中,在同一个真空室内连续地进行在所述铜箔的表面上形成铜扩散阻挡层的工序、在所述铜扩散阻挡层的表面上形成所述氢氧化物的工序、以及将硅烷偶联剂涂布在所述氢氧化物的表面的工序。

6.根据权利要求1所述的层压体的制造方法,其特征在于:

所述工序(B)包括对所述绝缘性聚合物的表面进行等离子体处理的工序,

在所述工序(B)中,让所述绝缘性聚合物的已经过了等离子体处理的面与所述铜扩散阻挡层相对,将所述绝缘性聚合物层压在所述铜扩散阻挡层的表面上。

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