[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

设于所述半导体衬底一侧的第一阱区；

设于所述第一阱区内的器件区；

贯穿所述半导体衬底和所述第一阱区的硅通孔结构，所述硅通孔结构包括导电层以及环绕所述导电层设置的绝缘层；以及，

设于所述第一阱区内，且隔开所述器件区与所述硅通孔结构的第二阱区，所述第一阱区与所述第二阱区的导电类型不同；

所述第一阱区与所述第二阱区交界处形成PN结电容，所述绝缘层两侧形成寄生电容，所述器件区中形成栅氧电容，在对所述器件区进行电气测量时，所述PN结电容和所述寄生电容串联后与所述栅氧电容并联。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一阱区为P型阱区，所述第二阱区为N型阱区，所述第一阱区与所述第二阱区交界处形成PN结构。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二阱区环绕所述硅通孔结构设置。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述第一阱区内且设置于所述第二阱区之上的隔离层，所述隔离层与所述第二阱区一起隔开所述器件区与所述硅通孔结构。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述器件区包括位于所述第一阱区内且间隔设置的源极区和漏极区，位于所述源极区和所述漏极区之间的第一阱区上的栅极氧化层，以及位于所述栅极氧化层上的栅极；

所述栅极与所述硅通孔结构中的所述导电层电性连接。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一阱区为P型阱区，所述源极区和所述漏极区为N型掺杂区。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述第一阱区内且包围所述器件区的第三阱区，所述第三阱区与所述第一阱区的导电类型不同。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一阱区为P型阱区，所述第三阱区为N型阱区，所述源极区和所述漏极区为N型掺杂区。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述器件区还包括位于所述源极区背离所述漏极区一侧且与所述源极区间隔设置的第一掺杂区，以及位于所述漏极区背离所述源极区一侧且与所述漏极区间隔设置的第二掺杂区；

所述第一掺杂区、所述第二掺杂区与所述源极区的导电类型不同。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二阱区与所述硅通孔结构之间水平方向上的间距大于1微米，所述第二阱区与所述器件区之间水平方向上的间距大于1微米，所述第二阱区水平方向上的宽度大于1微米。