[发明专利]一种基于声表面波折射率场虚拟雕刻的声光透镜芯片有效
| 申请号: | 202011403567.5 | 申请日: | 2020-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN112526777B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
| 发明(设计)人: | 韦学勇;秦咸明;陈轩;蒋庄德 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
| 主分类号: | G02F1/11 | 分类号: | G02F1/11 |
| 代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 贺建斌 |
| 地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 表面波 折射率 虚拟 雕刻 声光 透镜 芯片 | ||
一种基于声表面波和声光调制的平面可集成透镜芯片,包括压电基底,压电基底的一侧设有叉指电极,设有叉指电极的压电基底一侧键合有固体介质;使用时,将基于声表面波和声光调制的平面可集成透镜芯片放置在目标前,叉指电极调节固体介质的密度,在固体介质内进行折射率场的虚拟雕刻;由目标所发出的光线经过固体介质内的折射率场调制后,光线产生偏转,导致图像的焦距产生变化;通过改变叉指电极上的电压,调整焦距,使得最终所呈的像为清晰的图像;本发明适用于组织体模等散射介质。
技术领域
本发明属于表面声波技术与光学技术领域,具体涉及一种基于声表面波和声光调制的平面可集成透镜芯片。
背景技术
基于压电材料和叉指电极(Interdigital Electrode,IDT)的声表面波器件有着悠久的历史和广泛的应用,平面声表面波器件最初被用作雷达,然后是滤波器、光栅、声光调制器、生物传感器和声镊。近年来,声流控器件,特别是基于微机电系统(Micro electromechanical system,MEMS)技术的声表面波(Surface Acoustic Waves,SAW)微流控器件,因其具有温和、无标记的分选能力而备受关注,其可以实现粒子和液滴的混合、聚合、驱动、排列、分离,甚至控温或传感等,使声表面波器件在生物学、化学甚至法医学分析等领域成为一种强大而先进的工具。
微尺度光学元件在成像显示技术、生物传感、光调制、光开关、波前分析和器件小型化等方面发挥着重要作用,在这些器件中,平面器件具有更多的优点。薄而轻的外形尺寸,以及与微加工技术的兼容性,使得它们非常适合与MEMS系统集成,平面声表面波光学器件通常用作声光偏转器或声光频移器。与之不同的是,圆柱形声光调制器可以聚焦和调制准直光源并形成图像,利用圆柱形超声波阵列,可以在介质中雕刻出复杂的光图案。此外,这种利用声波改变介质折射率分布的方法可用于通过混浊介质传输底层结构的图像,作为植入有创内窥镜的潜在替代方案。
然而,这些声光透镜(为了区别于用于聚焦声波的声学透镜,利用声波聚焦光束的虚拟透镜暂称为声光透镜)是基于空心圆柱形声换能器,意味着换能器必须完全包裹在介质中才能实现虚拟光波导的超声雕刻;圆柱形超声波传感器具有非常好的成像性能,但限制了待观察样品的尺寸和类型,例如,样品不能大于圆柱体,除非将其截下一部分观察;这种声光透镜体积硕大,很难被集成在MEMS系统中。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供了一种基于声表面波和声光调制的平面可集成透镜芯片,在固体介质内进行折射率场的虚拟雕刻,使用叉指电极产生声表面波调制垂直于芯片入射的光线,并调节图像的光强和清晰度,并适用于组织体模等散射介质。
为了达到上述目的,本发明采取的技术方案为:
一种基于声表面波和声光调制的平面可集成透镜芯片1,包括压电基底1-1,压电基底1-1的一侧设有叉指电极1-2,设有叉指电极1-2的压电基底1-1一侧键合有固体介质1-3。
使用时,将所述的基于声表面波和声光调制的平面可集成透镜芯片1放置在目标2前,基于声表面波和声光调制的平面可集成透镜芯片1垂直于目标2所发出的光束放置,叉指电极1-2调节固体介质1-3的密度,在固体介质1-3内进行折射率场的虚拟雕刻;由目标2所发出的光线经过固体介质1-3内的折射率场调制后,光线产生偏转,导致图像的焦距产生变化;通过改变叉指电极1-2上的电压,调整焦距,使得最终所呈的像为清晰的图像3。
所述的基于声表面波和声光调制的平面可集成透镜芯片1能够调制垂直于芯片入射的光线。
所述的基于声表面波和声光调制的平面可集成透镜芯片1为平面形状的芯片,易于集成在MEMS系统中,能够直接附着在样品上使用。
所述的基于声表面波和声光调制的平面可集成透镜芯片1能够用于散射介质,散射介质包括组织模型或皮下脂肪层,提高通过散射介质拍摄的图像清晰度。
本发明的有益效果为:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011403567.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





