[发明专利]一种高精度低功耗的上电复位电路有效
| 申请号: | 202011395122.7 | 申请日: | 2020-12-03 |
| 公开(公告)号: | CN112217500B | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
| 发明(设计)人: | 陈鑫 | 申请(专利权)人: | 深圳英集芯科技有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/22 | 分类号: | H03K17/22 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 卢泽明 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区打石一*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高精度 功耗 复位 电路 | ||
本发明公开了一种高精度低功耗的上电复位电路,包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、由8个相同的第一三极管并联的三极管组和第二三极管;本上电复位电路结构简单,消耗较少的功耗。
技术领域
本发明涉及便携式可穿戴等低功耗应用技术领域,具体涉及一种高精度低功耗的上电复位电路。
背景技术
上电复位电路是一种常见电路,用于上电确定电路的初始状态及当电源电压掉到工作电压以下时复位电路状态,以保证状态不出错。常规的复位电路如果要保证一定的精度,一般需要一个基准电路加一个比较器实现,需要消耗一定功耗。在目前锂电池为主的便携产品中,降低功耗、提升精度显得尤为重要,但是,目前的上电复位电路消耗的损耗还不是很理想。
发明内容
基于现有技术的不足,本发明提出了一种高精度低功耗的上电复位电路,将上电复位电路需要的基准电路和比较器集合在一个电路,电路结构简单,节省了面积和功耗,不需要单独的基准电路,没有上电基准没建立好导致复位电路出错误信号的问题,电路更可靠。
本发明的技术方案为:
一种高精度低功耗的上电复位电路,其特征在于:包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一场效应管MP1、第二场效应管MP2、第三场效应管MP3、由8个相同的第一三极管Q1并联的三极管组和第二三极管Q2;所述第一电阻R1的第一端连接第二电阻R2的第二端,第一电阻R1的第二端接地VSS,第二电阻R2的第一端连接电源电压VDD,所述第一场效应管MP1的源极和衬底、第二场效应管MP2的源极和衬底及第三场效应管MP3的源极和衬底均连接电源电压VDD,所述第一场效应管MP1的栅极连接第二场效应管MP2的栅极,第二场效应管MP2的漏极连接第三场效应管MP3栅极,第一场效应管MP1的栅极还连接其漏极,第一场效应管的漏极还分别与8个第一三极管Q1的集电极连接,8个并联的第一三极管Q1的发射极分别与第三电阻R3的第一端连接,第三电阻R3的第二端连接第四电阻R4的第一端,第四电阻R4的第二端接地VSS,8个并联的第一三极管Q1的基极分别与第二三极管Q2的基极连接,同时还与第二电阻R2的第二端连接,第二场效应管MP2的漏极连接第二三极管Q2的集电极连接,第二三极管Q2的发射极连接第三电阻R3的第二端,第三场效应管MP3的漏极连接第五电阻R5的第一端,第五电阻R5的第二端接地VSS,其中,第三场效应管MP3的漏极的电压作为复位电压RSTB的输出端。
进一步地,所述第一场效应管MP1、第二场效应管MP2和第三场效应管MP3均采用P型场效应管。
进一步地,所述三极管组中的每一个第一三极管Q1均采用NPN型三极管。
进一步地,所述第二三极管Q2采用NPN型三极管。
本发明的有益效果为:本上电复位电路结构简单,消耗较少的功耗,能达到较高的检测电压精度,同时也能保证上电复位信号产生的可靠性。
附图说明
图1为本发明的电路原理图;
具体实施方式
下面参考附图并结合实施例对本发明进行详细说明。需要说明的是在不冲突的情况下,以下各实施例及实施例中的特征可相互组合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳英集芯科技有限公司,未经深圳英集芯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011395122.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





