[发明专利]一种高精度低功耗的上电复位电路有效
| 申请号： | 202011395122.7 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112217500B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈鑫 | 申请（专利权）人： | 深圳英集芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 卢泽明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区打石一*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高精度 功耗 复位 电路 | ||
1.一种高精度低功耗的上电复位电路，其特征在于：包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一场效应管MP1、第二场效应管MP2、第三场效应管MP3、由8个相同的第一三极管Q1并联的三极管组和第二三极管Q2；所述第一电阻R1的第一端连接第二电阻R2的第二端，第一电阻R1的第二端接地VSS，第二电阻R2的第一端连接电源电压VDD，所述第一场效应管MP1的源极和衬底、第二场效应管MP2的源极和衬底及第三场效应管MP3的源极和衬底均连接电源电压VDD，所述第一场效应管MP1的栅极连接第二场效应管MP2的栅极，第二场效应管MP2的漏极连接第三场效应管MP3栅极，第一场效应管MP1的栅极还连接其漏极，第一场效应管的漏极还分别与8个第一三极管Q1的集电极连接，8个并联的第一三极管Q1的发射极分别与第三电阻R3的第一端连接，第三电阻R3的第二端连接第四电阻R4的第一端，第四电阻R4的第二端接地VSS，8个并联的第一三极管Q1的基极分别与第二三极管Q2的基极连接，同时还与第二电阻R2的第二端连接，第二场效应管MP2的漏极连接第二三极管Q2的集电极连接，第二三极管Q2的发射极连接第三电阻R3的第二端，第三场效应管MP3的漏极连接第五电阻R5的第一端，第五电阻R5的第二端接地VSS，其中，第三场效应管MP3的漏极的电压作为复位电压RSTB的输出端。
2.如权利要求1所述的高精度低功耗的上电复位电路，其特征在于：所述第一场效应管MP1、第二场效应管MP2和第三场效应管MP3均采用P型场效应管。
3.如权利要求1所述的高精度低功耗的上电复位电路，其特征在于：所述三极管组中的每一个第一三极管Q1均采用NPN型三极管。
4.如权利要求1所述的高精度低功耗的上电复位电路，其特征在于：所述第二三极管Q2采用NPN型三极管。
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