[发明专利]衬底结构和其制造方法在审
| 申请号: | 202011387842.9 | 申请日: | 2020-12-01 |
| 公开(公告)号: | CN112928093A | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
| 发明(设计)人: | 方绪南 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
| 地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 衬底 结构 制造 方法 | ||
1.一种衬底结构,其包括:
衬底,其具有第一表面;
包封层,其包围所述衬底,所述包封层具有第一表面;以及
重布结构,其安置于所述衬底的所述第一表面和所述包封层的所述第一表面上,
其中间隙存在于所述衬底的所述第一表面与所述包封层的所述第一表面之间的高程中。
2.根据权利要求1所述的衬底结构,其中所述重布结构包含安置于所述衬底的所述第一表面和所述包封层的所述第一表面上的第一介电层。
3.根据权利要求2所述的衬底结构,其中所述第一介电层包含安置于所述衬底的所述第一表面上的第一部分和安置于所述包封层的所述第一表面上且在所述第一部分上的第二部分。
4.根据权利要求3所述的衬底结构,其中所述第一部分具有大体上等于所述间隙的厚度。
5.根据权利要求1所述的衬底结构,其中所述衬底的所述第一表面在表面粗糙度方面比所述包封层的所述第一表面更小。
6.根据权利要求1所述的衬底结构,其进一步包括密封于所述包封层中且包围所述衬底的支撑环,其中所述支撑环具有第一表面,所述支撑环的所述第一表面大体上与所述包封层的所述第一表面齐平。
7.根据权利要求6所述的衬底结构,其中所述重布结构安置于所述支撑环的所述第一表面、所述包封层的所述第一表面和所述衬底的所述第一表面上。
8.根据权利要求1所述的衬底结构,其进一步包括从所述衬底的所述第一表面嵌入于第一深度处的第一装置,所述第一装置包含有源装置或无源装置中的一个。
9.根据权利要求8所述的衬底结构,其进一步包括从所述衬底的所述第一表面嵌入于第二深度处的第二装置,所述第二装置包含有源装置或无源装置中的一个,且所述第二深度与所述第一深度不同。
10.一种衬底结构,其包括:
衬底,其具有第一表面;
包封层,其包围所述衬底,所述包封层具有第一表面;
支撑环,其密封于所述包封层中且包围所述衬底,所述支撑环具有第一表面;以及
重布结构,其安置于所述衬底的所述第一表面、所述包封层的所述第一表面和所述支撑环的所述第一表面上,
其中间隙存在于所述衬底的所述第一表面与所述包封层的所述第一表面之间的高程中。
11.根据权利要求10所述的衬底结构,其中所述重布结构包含安置于所述衬底的所述第一表面、所述包封层的所述第一表面和所述支撑环的所述第一表面上的第一介电层。
12.根据权利要求11所述的衬底结构,其中所述第一介电层包含安置于所述衬底的所述第一表面上的第一部分和安置于所述包封层的所述第一表面、所述支撑环的所述第一表面上且在所述第一部分上的第二部分。
13.根据权利要求12所述的衬底结构,其中所述第一部分具有大体上等于所述间隙的厚度。
14.根据权利要求10所述的衬底结构,其进一步包括从所述衬底的所述第一表面嵌入于第一深度处的第一装置,所述第一装置包含有源装置或无源装置中的一个。
15.根据权利要求14所述的衬底结构,其进一步包括从所述衬底的所述第一表面嵌入于第二深度处的第二装置,所述第二装置包含有源装置或无源装置中的一个,且所述第二深度与所述第一深度不同。
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