[发明专利]衬底结构和其制造方法在审
| 申请号: | 202011387842.9 | 申请日: | 2020-12-01 |
| 公开(公告)号: | CN112928093A | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
| 发明(设计)人: | 方绪南 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
| 地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 衬底 结构 制造 方法 | ||
揭示一种衬底结构和其制造方法。所述衬底结构包含衬底、包封层和重布结构。所述衬底具有第一表面。所述包封层包围所述衬底且具有第一表面。所述重布结构安置于所述衬底的所述第一表面和所述包封层的所述第一表面上。间隙存在于所述衬底的所述第一表面与所述包封层的所述第一表面之间的高程中。
技术领域
本揭示内容涉及一种衬底结构,且具体来说,涉及一种包含衬底和重布结构的衬底结构,且涉及一种制造衬底结构的方法。
背景技术
半导体装置封装可包含衬底和附接到衬底的重布结构。重布结构通常由载体固持。在将重布结构附接到衬底之后,将载体与重布结构一起切割以促使单个裸片形成于单一化的重布结构上。接着去除载体。随后,进行钻孔处理以界定重布结构中的通孔以用于与衬底的电连接。
发明内容
本揭示内容的实施例提供一种衬底结构。衬底结构包含具有第一表面的衬底、包围衬底且具有第一表面的包封层以及安置于衬底的第一表面和包封层的第一表面上的重布结构。间隙存在于衬底的第一表面与包封层的第一表面之间的高程中。
本揭示内容的实施例还提供一种衬底结构。衬底结构包含:衬底,其具有第一表面;包封层,其包围衬底且具有第一表面;支撑环,其密封于包封层中,包围衬底且具有第一表面;以及重布结构,其安置于衬底的第一表面、包封层的第一表面和支撑环的第一表面上。间隙存在于衬底的第一表面与包封层的第一表面之间的高程中。
本揭示内容的一些实施例提供一种制造衬底结构的方法。方法包含:提供用于支撑待在其上形成的半导体封装的载体;提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的衬底,衬底包含第一表面上的导电层和与导电层电连接的接触垫;在其第二表面处将衬底附接到载体;在载体上形成覆盖衬底的包封层;降低包封层的高度,从而导致减薄的包封层具有与衬底的第一表面上的导电层齐平的第一表面;去除导电层,从而暴露衬底的第一表面下方的接触垫,其中间隙存在于减薄的包封层的第一表面与衬底的第一表面之间的高程中;以及去除载体。
附图说明
本揭示内容的一些实施例的方面在与附图一起阅读时从以下详细描述最好地理解。应注意,各种结构可能未按比例绘制,且各种结构的尺寸可出于论述清楚起见而任意增大或减小。
图1是根据本揭示内容的一实施例的衬底结构的截面图。
图2是根据本揭示内容的另一实施例的衬底结构的截面图。
图3是根据本揭示内容的又一实施例的衬底结构的截面图。
图4A到图4H说明根据本揭示内容的一实施例的制造如图1中所说明的衬底结构的方法的一或多个阶段。
图5A到图5F说明根据本揭示内容的一实施例的制造如图2中所说明的衬底结构的方法的一或多个阶段。
图6A到图6J说明根据本揭示内容的一实施例的制造如图3中所说明的衬底结构的方法的一或多个阶段。
具体实施方式
贯穿图式和详细描述使用共同参考标号来指示相同或类似组件。根据以下结合附图作出的详细描述将容易理解本揭示内容的实施例。
以下揭示内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的具体实例来阐释本揭示内容的某些方面。当然,这些只是实例且并不意欲为限制性的。举例来说,在以下描述中,第一特征在第二特征上方或第二特征上的形成可包含第一特征和第二特征直接接触地形成或安置的实施例,且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成或安置使得第一特征和第二特征可不直接接触的实施例。另外,本揭示内容可在各种实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简单和清晰的目的,且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
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