[发明专利]光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造集成电路装置的方法

说明书

提供一种光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造集成电路装置的方法。所述光可分解化合物包括：阴离子组分，包括金刚烷基；阳离子组分，包括C5至C40环烃基，并且与阴离子组分形成络合物。所述金刚烷基和所述环烃基中的至少一者具有取代基，所述取代基通过酸而分解并产生碱溶性基团。所述取代基包括酸不稳定性保护基。所述光致抗蚀剂组合物包括化学放大型聚合物、所述光可分解化合物和溶剂。为了制造集成电路(IC)装置，在特征层上使用光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂膜，对光致抗蚀剂膜的第一区域进行曝光以在第一区域中从光可分解化合物产生多种酸，化学放大型聚合物由于所述多种酸而脱保护，并且去除第一区域以形成光致抗蚀剂图案。

相关申请的交叉引用

通过引用将于2020年1月29日在韩国知识产权局提交的且标题为“Photo-Decomposable Compound,Photoresist Composition Including the Same,and Methodof Manufacturing Integrated Circuit Device”(光可分解化合物、包括其的光致抗蚀剂组合物和制造集成电路装置的方法)的韩国专利申请No.10-2020-0010484全部并入本文。

技术领域

实施例涉及光可分解化合物、包括其的光致抗蚀剂组合物和制造集成电路(IC)装置的方法。

背景技术

随着IC装置的尺寸迅速缩小和高度集成，已经考虑了用于确保当使用光刻工艺形成图案时要形成的图案的尺寸精度的技术。

发明内容

实施例可以通过提供光可分解化合物来实现，所述光可分解化合物包括：阴离子组分，所述阴离子组分包括金刚烷基；以及阳离子组分，所述阳离子组分包括C5至C40环烃基，所述阳离子组分与所述阴离子组分形成络合物，其中，所述金刚烷基和所述C5至C40环烃基中的至少一者具有取代基，所述取代基响应于暴露于酸而分解以产生碱溶性基团，所述取代基包括酸不稳定性保护基。

实施例可以通过提供光致抗蚀剂组合物来实现，所述光致抗蚀剂组合物包括：化学放大型聚合物；溶剂；以及光可分解化合物，所述光可分解化合物包括：阴离子组分，所述阴离子组分包括金刚烷基；以及阳离子组分，所述阳离子组分包括C5至C40环烃基，所述阳离子组分与所述阴离子组分形成络合物，其中，所述金刚烷基和所述C5至C40环烃基中的至少一者具有通过酸的作用而分解并产生碱溶性基团的取代基，并且所述取代基包括酸不稳定性保护基。

实施例可以通过提供制造集成电路(IC)装置的方法来实现，所述方法包括：提供包括特征层的衬底；在所述特征层上形成光致抗蚀剂膜，其中，所述光致抗蚀剂膜包括化学放大型聚合物、光可分解化合物和溶剂，所述光可分解化合物具有：阴离子组分，所述阴离子组分包括金刚烷基；以及阳离子组分，所述阳离子组分包括C5至C40环烃基，并且与所述阴离子组分形成络合物，所述金刚烷基和所述C5至C40环烃基中的至少一者具有取代基，所述取代基响应于酸而分解以产生碱溶性基团，所述取代基包括酸不稳定性保护基；对所述光致抗蚀剂膜的第一区域进行曝光以在所述第一区域中从所述光可分解化合物产生多种酸，并且由于所述多种酸而使所述化学放大型聚合物脱保护，所述第一区域是所述光致抗蚀剂膜的一部分；使用显影剂去除所述光致抗蚀剂膜的被曝光的所述第一区域以形成光致抗蚀剂图案，所述光致抗蚀剂图案包括所述光致抗蚀剂膜的非曝光区域；以及使用所述光致抗蚀剂图案来处理所述特征层。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将是明显的，在附图中：

图1是根据实施例的制造集成电路(IC)装置的方法的流程图；和

图2A至图2F是根据实施例的制造IC装置的方法中的各阶段的截面图。

具体实施方式