[发明专利]光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造集成电路装置的方法在审
| 申请号： | 202011387643.8 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN113185432A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 金秀珉;金贤友;洪锡九;金艺灿;金珠英;金珍珠;朴柱铉;宋炫知;李松世 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C07C309/12 | 分类号： | C07C309/12;C07C321/30;C07C319/20;C07C303/22;G03F7/004 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可分解 化合物 光致抗蚀剂 组合 制造 集成电路 装置 方法 | ||
1.一种光可分解化合物，所述光可分解化合物包括：
阴离子组分，所述阴离子组分包括金刚烷基；以及
阳离子组分，所述阳离子组分包括C5至C40环烃基，所述阳离子组分与所述阴离子组分形成络合物，
其中：
所述金刚烷基和所述C5至C40环烃基中的至少一者具有取代基，
所述取代基响应于暴露于酸而分解以产生碱溶性基团，并且
所述取代基包括酸不稳定性保护基。
2.根据权利要求1所述的光可分解化合物，其中，所述酸不稳定性保护基为取代或未取代的叔丁基或C3至C30取代或未取代的叔脂环族基团。
3.根据权利要求1所述的光可分解化合物，其中：
所述酸不稳定性保护基具有取代有第一取代基的结构，
所述第一取代基包括取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C1至C10烷氧基、卤素原子、取代或未取代的C1至C10卤代烷基、羟基、或者取代或未取代的C6至C30芳基，
在所述取代的C1至C10烷基、所述取代的C1至C10烷氧基、所述取代的C1至C10卤代烷基和所述取代的C6至C30芳基中，至少一个碳原子取代有卤素原子或含杂原子的基团。
4.根据权利要求1所述的光可分解化合物，其中：
所述取代基具有下面的结构之一：
*-C(＝O)OR1
*-OC(＝O)OR1
*-OAc，
其中：
R1为所述酸不稳定性保护基，并且包括取代或未取代的叔丁基、或者C3至C30取代或未取代的叔脂环族基团，
Ac为缩醛保护基，并且
*指示结合位。
5.根据权利要求1所述的光可分解化合物，其中：
所述取代基连接到所述金刚烷基，
所述光可分解化合物由式1表示，
[式1]
在式1中，
Ra为所述取代基，并且由*-C(＝O)OR1表示，其中R1为所述酸不稳定性保护基并且包括取代或未取代的叔丁基或C3至C30取代或未取代的叔脂环族基团，
Ya为C1至C20二价直链或环烃基，
m为1至5的整数，
M-为-SO3-或-CO2-，并且
A+为所述阳离子组分。
6.根据权利要求5所述的光可分解化合物，其中，R1为下面的结构之一：
其中，*指示结合位。
7.根据权利要求5所述的光可分解化合物，其中，R1为下面的结构之一：
其中，*指示结合位。
8.根据权利要求5所述的光可分解化合物，其中，R1为下面的结构之一：
其中，*指示结合位。
9.根据权利要求5所述的光可分解化合物，其中，R1为下面的结构之一：
其中，*指示结合位。
10.根据权利要求5所述的光可分解化合物，其中，R1为下面的结构之一：
其中，*指示结合位。
11.根据权利要求5所述的光可分解化合物，其中，R1为下面的结构之一：
其中，*指示结合位。
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