[发明专利]一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关

说明书

本发明提供的一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关，设置在电源电路的控制开关内，其包括控制电路板和其上的控制电路，所述的控制电路控制电源的开启与关闭；电源电路包括电源输入电路和电源输出电路，所述的控制电路分别于电源输入电路和电源输出电路电学连接。本发明提供的一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关，先通过第四MOSFET元件导通使第一第二MOSFET关断，然后利用延时电路的电容导通三MOSFET元件，此时第四MOSFET元件断开，从而实现电源启动电路的导通，避免了MOSFET元件在导通时长时间处于线性损耗工作状态，降低损耗，提高开关的使用寿命。

技术领域

本发明涉及一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关。

背景技术

现有的生产中经常需要用到DC-DC电源，电源的使用需要用到浪涌抑制线路，通过浪涌抑制线路来保护电源在开启时受到的升压电路，在传统的浪涌抑制线路中，采用MOSFET元件通过RC延时电路来导通电源，从而降低旁路电阻的损耗，但是这样会造成MOSFET元件在开通过程中有一段时间工作在线性区，损耗较大，一旦使用较高功率的DC-DC电源时，会因为电流较大，在连续开关机时，很容易造成MOSFET元件损坏，而MOSFET元件的损坏就容易造成电源损坏，影响电源使用。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于：提供一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关，旨在通过开关控制电路的重新设计，利用MOSFET元件进行快速导通，从而降低其在线性工作区的导通时长，提高开关和电源的使用寿命。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关，设置在电源电路的控制开关内，其包括控制电路板和其上的控制电路，所述的控制电路控制电源的开启与关闭；电源电路包括电源输入电路和电源输出电路，所述的控制电路分别于电源输入电路和电源输出电路电学连接；

所述的控制电路包括驱动电路、延时电路和开关电路；所述的驱动电路用于启动所述的控制开关，连接所述的延时电路；所述的延时电路用于延时开启所述的控制开关，连接所述的驱动电路和开关电路；所述的开关电路位于电源电路上，连接并控制电源电路；

所述的开关电路包括多个MOSFET元件、一个分压电阻、一个稳压管和多个保护电阻；所述的MOSFET元件采用第一MOSFET元件和第二MOSFET元件，所述的MOSFET元件的G端电极相互电学连接并且与分压电阻电学连接，D端与电源输出电路VIN-电学连接；所述的分压电阻采用第一分压电阻，一端与所述的第一MOSFET元件和第二MOSFET元件电学连接，一端连接所述的驱动电路；所述的稳压管采用第一稳压管，与所述的MOSFET元件和分压电阻并联，一端与所述的第一分压电阻电学连接，一端与所述的MOSFET元件的S端电极电学连接；所述的保护电阻并联在所述的MOSFET元件上，一端与S端电极电学连接，一端与D端电极电学连接；

所述的延时电路4包括一个MOSFET元件、一个延时电容、一个分压电阻、一个稳压管和一个保护电阻，各个元件相互电学连接；所述的MOSFET元件采用第三MOSFET元件，其D端电极与所述的驱动电路电学连接，S端电极连接地端HV-，并且与所述的驱动电路、分压电阻和稳压管电学连接；所述的延时电容一端与所述的第三MOSFET元件的G端电极电学连接，一端与S端电极电学连接；所述的分压电阻采用第二分压电阻，与所述的延时电容电学连接，一端与电源输入电路电学连接；所述的稳压管采用第二稳压管，与所述的延时电容并联连接；所述的保护电阻与所述的延时电容并联连接；

所述的驱动电路包括一个提供电源的驱动电源、一个控制联通的MOSFET元件和多个限流电阻，各个元件相互电学连接；所述的MOSFET元件采用第四MOSFET元件，其G电极与所述的第三MOSFET元件的D端电极电学连接，S端电极与所述的第三MOSFET元件的S端电极，同时连接地端，D端电极与所述的电阻和驱动电源电学连接，同时与所述的开关电路电学连接，连接至所述的第一稳压管的一端；所述的限流电阻设置不少于两个，一个连接所述的第四MOSFET元件和驱动电源，一个连接所述的第三MOSFET元件和驱动电源。