[发明专利]一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关

权利要求书

1.一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关，设置在电源电路的控制开关内，其包括控制电路板和其上的控制电路，所述的控制电路控制电源的开启与关闭；电源电路包括电源输入电路和电源输出电路，所述的控制电路分别于电源输入电路和电源输出电路电学连接；

所述的控制电路包括驱动电路、延时电路和开关电路；所述的驱动电路用于启动所述的控制开关，连接所述的延时电路；所述的延时电路用于延时开启所述的控制开关，连接所述的驱动电路和开关电路；所述的开关电路位于电源电路上，连接并控制电源电路；

其特征在于，所述的开关电路包括多个MOSFET元件、一个分压电阻、一个稳压管和多个保护电阻；所述的MOSFET元件采用第一MOSFET元件和第二MOSFET元件，所述的MOSFET元件的G端电极相互电学连接并且与分压电阻电学连接，D端与电源输出电路VIN-电学连接；所述的分压电阻采用第一分压电阻，一端与所述的第一MOSFET元件和第二MOSFET元件电学连接，一端连接所述的驱动电路；所述的稳压管采用第一稳压管，与所述的MOSFET元件和分压电阻并联，一端与所述的第一分压电阻电学连接，一端与所述的MOSFET元件的S端电极电学连接；所述的保护电阻并联在所述的MOSFET元件上，一端与S端电极电学连接，一端与D端电极电学连接；

所述的延时电路包括一个MOSFET元件、一个延时电容、一个分压电阻、一个稳压管和一个保护电阻，各个元件相互电学连接；所述的MOSFET元件采用第三MOSFET元件，其D端电极与所述的驱动电路电学连接，S端电极连接地端HV-，并且与所述的驱动电路、分压电阻和稳压管电学连接；所述的延时电容一端与所述的第三MOSFET元件的G端电极电学连接，一端与S端电极电学连接；所述的分压电阻采用第二分压电阻，一端与所述的延时电容电学连接，一端与电源输入电路电学连接；所述的稳压管采用第二稳压管，与所述的延时电容并联连接；所述的保护电阻与所述的延时电容并联连接；

所述的驱动电路包括一个提供电源的驱动电源、一个控制联通的MOSFET元件和多个限流电阻，各个元件相互电学连接；所述的MOSFET元件采用第四MOSFET元件，其G电极与所述的第三MOSFET元件的D端电极电学连接，S端电极与所述的第三MOSFET元件的S端电极，同时连接地端，D端电极与所述的限流电阻和驱动电源电学连接，同时与所述的开关电路电学连接，连接至所述的第一稳压管的一端；所述的限流电阻设置不少于两个，一个连接所述的第四MOSFET元件和驱动电源，一个连接所述的第三MOSFET元件和驱动电源。

2.根据权利要求1所述的一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关，其特征在于，所述的开关电路上设置不少于两个MOSFET元件，实现开关电流浪涌抑制的作用。

3.根据权利要求1所述的一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关，其特征在于，所述的开关电路并联连接两个输入电容，采用第一输入电容和第二输入电容，两个所述的输入电容两端分别于电源输入电路和电源输出电路电学连接，所述的第一输入电容连接电源输出电路的一端还连接地端。

4.根据权利要求1所述的一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关，其特征在于，所述的第四MOSFET元件与所述的驱动电源电学连接，驱动电源开启后使得所述的第四MOSFET元件G端电极获得高电平信号而导通，此时，连接第四MOSFET元件D端电极的所述开关电路上MOSFET元件的G端电极的电平极低而无法实现导通；所述的第三MOSFET元件的G端电极连接所述的延时电容，此时延时电容暂未完成充电，所述的第三MOSFET元件的G端电极电平极低而无法导通。

5.根据权利要求1所述的一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关，其特征在于，所述的延时电容充电完成时，所述的第三MOSFET元件的G端电极获得高电平信号而导通，所述的第四MOSFET元件的G端电极电平被拉低而关闭导通，此时，所述的第一MOSFET元件和第二MOSFET元件的G端电极获得驱动电源端的高电平信号，所述的开关电路的快速导通，完成开启功能。