[发明专利]一种原子层沉积装置及OLED封装方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种原子层沉积装置及OLED封装方法。所述原子层沉积腔室包括腔体、工作台和工件挡板，工作台设置在腔体的底部，用于放置工件；腔体的顶部上开设有第一进气口，腔体的侧壁上开设有第二进气口；从第一进气口和第二进气口进入的气体能够分路径扩散至工件的待成膜区，并在工件的待成膜区反应形成膜层；工件挡板间隔设置在工作台的上方，工件挡板包括非遮挡区和无孔遮挡区，无孔遮挡区用于遮挡工件的待成膜区，防止腔体内的颗粒物沉积在工件待成膜区，减少工件待成膜区上的颗粒物，提高产品良率。所述OLED封装方法通过应用上述原子层沉积装置，能够减少工件表面颗粒物数量，提高产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种原子层沉积装置及OLED封装方法。

背景技术

目前，现有的原子层沉积装置，由于Al2O3等金属薄膜无法自清洁，使得原子层沉积腔室内颗粒物随着腔室使用次数的增多而增加，若颗粒物落在基板上容易导致基板出现异常，从而降低产品良率。

因此，亟待需要一种原子层沉积装置以解决上述问题。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种原子层沉积装置，能够减少工件表面颗粒物数量，提高产品良率。

本发明的另一个目的在于提供一种OLED封装方法，通过应用上述原子层沉积装置，能够减少工件表面颗粒物数量，提高产品良率。

为实现上述目的，提供以下技术方案：

一方面，提供了一种原子层沉积装置，包括：

腔体，所述腔体的顶部上开设有第一进气口，所述腔体的侧壁上开设有第二进气口；

工作台，设置在所述腔体的底部，用于放置工件；

工件挡板，间隔设置在所述工作台的上方，所述工件挡板包括非遮挡区和无孔遮挡区，所述无孔遮挡区用于遮挡所述工件的待成膜区，且从所述第一进气口和所述第二进气口进入的气体能够分路径扩散至所述工件的待成膜区。

作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述非遮挡区上设置有开孔，所述开孔用于使从所述第一进气口进入的气体通过。

作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述非遮挡区与所述无孔遮挡区之间的过渡区上设置有多个微米级气孔。

作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述工件挡板的边缘向上翘起形成第一气流引导结构。

作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述腔体的侧壁上设置有与所述第一气流引导结构相对设置的第二气流引导结构，且所述第二气流引导结构位于所述第二进气口的上方。

作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述第二气流引导结构的外表面为由外至内倾斜向下设置的弧面。

作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述第二进气口由外至内倾斜向下设置。

作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述工件挡板可拆卸地设置在所述腔体内。

作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述腔体的侧壁上设置有支架，所述工件挡板可拆卸地设置在所述支架上。

另一方面，提供了一种OLED封装方法，包括如上所述的原子层沉积装置，包括如下步骤：

将OLED基底放置在工作台上，并将工件挡板安装于所述OLED基底上方；

从第一进气口提供第一反应气体，沿第一路径吸附在所述OLED基底待成膜表面；

利用氮气吹扫置换腔体内气体氛围；

从第二进气口提供第二反应气体，沿第二路径吸附在所述OLED基底待成膜表面。