[发明专利]一种原子层沉积装置及OLED封装方法有效
申请号: | 202011386281.0 | 申请日: | 2020-12-01 |
公开(公告)号: | CN112522683B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 廖良生;朱颖晖;梁舰;祝晓钊;王艳华;冯敏强 | 申请(专利权)人: | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H10K71/00;H10K50/844 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 原子 沉积 装置 oled 封装 方法 | ||
1.一种原子层沉积装置,其特征在于,包括:
腔体(1),所述腔体(1)的顶部上开设有第一进气口(11),所述腔体(1)的侧壁上开设有第二进气口(12);
工作台(2),设置在所述腔体(1)的底部,用于放置工件(100);
工件挡板(3),间隔设置在所述工作台(2)的上方,所述工件挡板(3)包括非遮挡区和无孔遮挡区,所述无孔遮挡区用于遮挡所述工件(100)的待成膜区,且从所述第一进气口(11)和所述第二进气口(12)进入的气体能够分路径扩散至所述工件(100)的待成膜区;
所述工件挡板(3)的边缘向上翘起形成第一气流引导结构;
所述腔体(1)的侧壁上设置有与所述第一气流引导结构相对设置的第二气流引导结构,且所述第二气流引导结构位于所述第二进气口(12)的上方。
2.根据权利要求1所述的原子层沉积装置,其特征在于,所述非遮挡区上设置有开孔,所述开孔用于使从所述第一进气口(11)进入的气体通过。
3.根据权利要求2所述的原子层沉积装置,其特征在于,所述非遮挡区与所述无孔遮挡区之间的过渡区上设置有多个微米级气孔。
4.根据权利要求1所述的原子层沉积装置,其特征在于,所述第二气流引导结构的外表面为由外至内倾斜向下设置的弧面。
5.根据权利要求1所述的原子层沉积装置,其特征在于,所述第二进气口(12)由外至内倾斜向下设置。
6.根据权利要求1所述的原子层沉积装置,其特征在于,所述工件挡板(3)可拆卸地设置在所述腔体(1)内。
7.根据权利要求6所述的原子层沉积装置,其特征在于,所述腔体(1)的侧壁上设置有支架(13),所述工件挡板(3)可拆卸地设置在所述支架(13)上。
8.一种OLED封装方法,其特征在于,基于如权利要求1-7任一项所述的原子层沉积装置,包括如下步骤:
将OLED基底放置在工作台(2)上,并将工件挡板(3)安装于所述OLED基底上方;
从第一进气口(11)提供第一反应气体,沿第一路径吸附在所述OLED基底待成膜表面;
利用氮气吹扫置换腔体(1)内气体氛围;
从第二进气口(12)提供第二反应气体,沿第二路径吸附在所述OLED基底待成膜表面。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的