[发明专利]阵列基板及其断线修复方法在审

专利信息
申请号: 202011383130.X 申请日: 2020-11-30
公开(公告)号: CN114578590A 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 陈平;刘涛;尹磊;汤晨;胡海涛;王彬 申请(专利权)人: 合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G02F1/1333;G02F1/1335;G02F1/1362
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 王辉;阚梓瑄
地址: 230012 安徽省合肥市新*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 断线 修复 方法
【说明书】:

发明涉及显示技术领域,提出一种阵列基板及其断线修复方法。该阵列基板包括设于衬底基板之上的断路导线,以及绝缘设于断路导线远离衬底基板一侧的第一电极,断路导线具有至少两个断路点,断线修复方法包括:对第一电极进行切割形成连接部,连接部与第一电极分离绝缘,且至少两个断路点在衬底基板上的正投影位于连接部在衬底基板上的正投影之内;剥离部分连接部,以使断路导线裸露形成至少两个裸露部,裸露部与断路点重合,或裸露部位于断路导线的靠近断路点的位置;将至少两个裸露部与连接部连接为一体。连接部与第一电极分离绝缘,不会对断路导线产生影响,不会引入其他导线的电压,因此修复后不产生亮暗点,进而提升产品等级。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及阵列基板的断线修复方法。

背景技术

ADS型液晶面板(Advanced-Super Dimensional Switching,高级超维场开关技术)通过同一平面内像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场,使液晶盒内像素电极或公共电极之间、像素电极或公共电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换,从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。ADS型液晶显示面板可以提高TFT-LCD(Thin film transistor liquidcrystal display,薄膜晶体管液晶显示器)画面品质,具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(Push Mura)等优点。为了提高开口率,目前采用HADS(High Aperture Ratio-ADS,高开口率-高级超维场开关)型液晶面板。

在液晶显示面板的制造过程中,修复断线是提高良率的一个重要手段。但是,目前一般借用Com补偿结构和COM线11来进行维修断线,这种方法维修后会产生亮暗点;而且不适用于HADS型液晶面板的断线维修。

所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的HADS型液晶面板不能进行断线维修的不足,提供一种应用于HADS型液晶面板的阵列基板的断线修复方法。

本发明的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述,并且部分地将从描述中变得显然,或者可以通过本发明的实践而习得。

根据本公开的一个方面,提供一种阵列基板的断线修复方法,所述阵列基板包括设于衬底基板之上的断路导线,以及绝缘设于所述断路导线远离所述衬底基板一侧的第一电极,所述断路导线具有至少两个断路点,所述断线修复方法包括:

对所述第一电极进行切割形成连接部,所述连接部与所述第一电极分离绝缘,且至少两个所述断路点在所述衬底基板上的正投影位于所述连接部在所述衬底基板上的正投影之内;

剥离部分所述连接部,以使所述断路导线裸露形成至少两个裸露部,所述裸露部与所述断路点重合,或所述裸露部位于所述断路导线的靠近所述断路点的位置;

将至少两个所述裸露部与所述连接部连接为一体。

在本公开的一种示例性实施例中,对所述第一电极进行切割形成连接部,包括:

沿所述断路导线的延伸方向,且在所述断路导线与相邻至少两个导电部之间的至少两个间隙内切割所述第一电极形成至少两个第一切割槽;

沿与所述断路导线的延伸方向垂直的方向切割所述第一电极形成至少两个第二切割槽;

所述第一切割槽与所述第二切割槽连接形成封闭的环形槽,所述环形槽围绕的所述第一电极形成所述连接部。

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