[发明专利]阵列基板及其断线修复方法在审

专利信息
申请号: 202011383130.X 申请日: 2020-11-30
公开(公告)号: CN114578590A 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 陈平;刘涛;尹磊;汤晨;胡海涛;王彬 申请(专利权)人: 合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G02F1/1333;G02F1/1335;G02F1/1362
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 王辉;阚梓瑄
地址: 230012 安徽省合肥市新*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 断线 修复 方法
【权利要求书】:

1.一种阵列基板的断线修复方法,其特征在于,所述阵列基板包括设于衬底基板之上的断路导线,以及绝缘设于所述断路导线远离所述衬底基板一侧的第一电极,所述断路导线具有至少两个断路点,所述断线修复方法包括:

对所述第一电极进行切割形成连接部,所述连接部与所述第一电极分离绝缘,且至少两个所述断路点在所述衬底基板上的正投影位于所述连接部在所述衬底基板上的正投影之内;

剥离部分所述连接部,以使所述断路导线裸露形成至少两个裸露部,所述裸露部与所述断路点重合,或所述裸露部位于所述断路导线的靠近所述断路点的位置;

将至少两个所述裸露部与所述连接部连接为一体。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的断线修复方法,其特征在于,对所述第一电极进行切割形成连接部,包括:

沿所述断路导线的延伸方向,且在所述断路导线与相邻至少两个导电部之间的至少两个间隙内切割所述第一电极形成至少两个第一切割槽;

沿与所述断路导线的延伸方向垂直的方向切割所述第一电极形成至少两个第二切割槽;

所述第一切割槽与所述第二切割槽连接形成封闭的环形槽,所述环形槽围绕的所述第一电极形成所述连接部。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的断线修复方法,其特征在于,所述阵列基板还包括第一导线和第二导线,所述第一导线设于所述衬底基板的一侧,所述第二导线绝缘设于所述第一导线远离所述衬底基板的一侧,所述第一导线在所述衬底基板上的正投影与所述第二导线在所述衬底基板上的正投影有相交。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的断线修复方法,其特征在于,所述断路导线为所述第一导线,且两个所述断路点位于所述第二导线的两侧;

沿所述断路导线的延伸方向切割所述第一电极时,切割最深截止至所述第二导线远离所述衬底基板的一侧;

沿与所述断路导线的延伸方向垂直的方向切割所述第一电极时,切割截止至所述第一导线远离所述衬底基板的一侧。

5.根据权利要求3所述的阵列基板的断线修复方法,其特征在于,所述断路导线为所述第二导线或所述第一导线;

沿所述断路导线的延伸方向切割所述第一电极时,切割最深截止至所述第二导线远离所述衬底基板的一侧或所述第一导线远离所述衬底基板的一侧;

沿与所述断路导线的延伸方向垂直的方向切割所述第一电极时,切割截止至所述第二导线远离所述衬底基板的一侧或所述第一导线远离所述衬底基板的一侧。

6.根据权利要求3所述的阵列基板的断线修复方法,其特征在于,所述阵列基板还包括设于所述第一电极的远离所述衬底基板一侧的黑矩阵,所述第一导线在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影内。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的断线修复方法,其特征在于,在对所述第一电极进行切割形成连接部时,且在切割设置有所述黑矩阵的所述第一电极时,同时切割所述黑矩阵;

在剥离部分所述连接部时,且在剥离设置有所述黑矩阵的所述第一电极时,同时剥离所述黑矩阵。

8.根据权利要求3所述的阵列基板的断线修复方法,其特征在于,所述第一导线为栅线,所述第二导线为数据线,所述第一电极为公共电极。

9.根据权利要求1所述的阵列基板的断线修复方法,其特征在于,通过激光切割工艺对所述第一电极进行切割,沿与所述断路导线的延伸方向垂直的方向切割时,所述激光切割工艺的激光波长为355nm;

通过激光焊接工艺将所述裸露部与所述连接部连接为一体。

10.一种阵列基板,其特征在于,通过权利要求1~9任意一项所述的断线修复方法进行修复。

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