[发明专利]芯片结构、摄像组件和电子设备在审
| 申请号: | 202011380432.1 | 申请日: | 2020-11-30 | 
| 公开(公告)号: | CN112510057A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 | 
| 发明(设计)人: | 杨子东 | 申请(专利权)人: | 维沃移动通信有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 | 
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 胡影;李红标 | 
| 地址: | 523863 广东*** | 国省代码: | 广东;44 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 结构 摄像 组件 电子设备 | ||
1.一种芯片结构,其特征在于,包括:
基片,所述基片上具有呈阵列分布的像素单元,每个所述像素单元中具有子像素,每个所述子像素中具有至少两个谐振结构,每个所述谐振结构中具有谐振腔,每个所述子像素中的至少两个所述谐振结构沿所述基片的厚度方向间隔开设置。
2.根据权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,每个所述谐振腔在所述基片的厚度方向上的长度可调节。
3.根据权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,每个所述像素单元中包括至少两个所述子像素,且每个所述像素单元中的所述子像素中的谐振结构所过滤的光线的波长不同。
4.根据权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,所述谐振腔中填充有透光填充物,所述透光填充物在所述基片的厚度方向上的长度和/或所述透光填充物的折射率可调节。
5.根据权利要求4所述的芯片结构,其特征在于,所述透光填充物包括电致伸缩聚合物和/或电光效应聚合物。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的芯片结构,其特征在于,所述谐振结构包括:
透光基板;
透光导电层,所述透光基板和所述透光导电层平行间隔开设置,所述透光基板的靠近所述透光导电层的一侧表面设有第一反射层,所述透光导电层的靠近所述透光基板的一侧表面设有第二反射层,所述第一反射层与所述第二反射层间隔开形成所述谐振腔。
7.根据权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,还包括:
聚光结构,所述聚光结构设置于所述基片朝向所述像素单元的一侧。
8.根据权利要求7所述的芯片结构,其特征在于,还包括:
感光元件,每个所述子像素中分别具有所述感光元件,每个所述子像素中的至少两个所述谐振结构位于所述聚光结构与所述感光元件之间。
9.根据权利要求8所述的芯片结构,其特征在于,还包括:
走线层,所述感光元件分别与所述走线层电连接。
10.一种摄像组件,其特征在于,包括如权利要求1-9中任一项所述的芯片结构。
11.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求10中所述的摄像组件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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