[发明专利]衬底处理装置在审
申请号: | 202011373950.0 | 申请日: | 2020-11-30 |
公开(公告)号: | CN113314435A | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 泽岛隼;山口贵大;小林健司 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 陈甜甜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 | ||
1.一种衬底处理装置,其特征在于具备:
衬底搬送机构,搬送衬底;及
多个处理单元,对由所述衬底搬送机构搬送的衬底进行特定的药液处理;且
所述多个处理单元沿着所述衬底搬送机构的搬送路径排列配置,并且以隔着所述搬送路径对向的方式相向配置,进而以在上下方向上积层的方式配置,且
所述各处理单元具备:
处理室,为一区域,在区域中配置着在保持衬底的状态下旋转的保持旋转部,对由所述保持旋转部保持并旋转的衬底进行药液处理,且经由衬底搬送口在与所述衬底搬送机构之间交换衬底;
药液配管部,为配置着用来向所述处理室供给药液的药液配管的区域;及
排气室,经由排气口与所述处理室连通以对所述处理室内进行排气,并且与在上下方向上延伸的排气管连通;
所述所有处理单元中,所述处理室、所述药液配管部及所述排气室沿着所述搬送路径排列配置,且从所述搬送路径侧观察时,在所述处理室的一侧配置着所述药液配管部,并以隔着所述处理室与所述药液配管部对向的方式配置着所述排气室。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述排气室与在上下方向上延伸的多条排气管连通,并且
所述排气室具备将来自所述处理室的气体的排气路切换至所述多条排气管中的任一者的开闭机构。
3.根据权利要求2所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述处理室还具备向由所述保持旋转部所保持的衬底供给药液的液体供给部,
所述开闭机构在所述液体供给部供给酸系药液的情况下,将来自所述处理室的气体的排气路切换至所述多条排气管中的第1排气管,
所述开闭机构在所述液体供给部供给碱系药液的情况下,将来自所述处理室的气体的排气路切换至所述多条排气管中的第2排气管,
所述开闭机构在所述液体供给部供给有机系药液的情况下,将来自所述处理室的气体的排气路切换至所述多条排气管中的第3排气管。
4.根据权利要求2或3所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述处理室以在俯视下隔着所述保持旋转部与所述衬底搬送口对向的方式具有侧壁,
所述保持旋转部在所述处理室中配置在与所述侧壁相比更靠近所述衬底搬送口的位置,
所述多条排气管在与所述搬送路径延伸的方向正交的水平方向上排成1列,
所述排气室的所述排气口配置得比所述多条排气管更靠近所述搬送路径。
5.根据权利要求2或3所述的衬底处理装置,其特征在于,
还具备位置比所述多个处理单元更高、且沿着所述搬送路径设置的水平排气管,
所述水平排气管经由所述排气管,与在上下方向上积层成一列的多个处理单元各自的所述排气室连通。
6.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述排气室具备压力调整机构,该压力调整机构设置在所述排气口附近,对通过所述排气口的气体的压力进行调整。
7.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,
还具备1个以上的衬底搬送机构,
多个衬底搬送机构各自对在上下方向上积层的多个处理单元中预先设定的级的多个处理单元搬送衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造