[发明专利]一种模块及模块加工方法

说明书

本发明提供了一种模块及模块加工方法，该模块包括基板和芯片，所述芯片的轴向尺寸较径向尺寸大；所述基板上设置有用于产生辅助场的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极之间设置有电极线路；在所述第一电极和第二电极之间阵列设置有若干个所述芯片，任意两个相邻的芯片之间的距离为预设值；所述芯片的轴向两端分别为正极端和负极端，任一个所述芯片的正极端和负极端键合在所述电极线路的对应位置上。该模块通过特定的模块加工方法形成，能够保证芯片的固晶位置精确，保证模块成型质量。

技术领域

本发明涉及到电子模块领域，具体涉及到一种集成模块及功率模块。

背景技术

目前，在Mini/Micro LED显示领域和背光领域，为了制作发光二极管显示器，需要将微小的芯片从原始衬底转移到接收基板上并排列成阵列，在涉及到巨量的微小芯片的转移步骤中，现有工艺下还存在着大量的问题，如芯片在转移至接收基板上后，由于芯片的惯量是极其微小的，一方面，原始衬底在脱离时容易对芯片的位置和姿态造成影响，另一方面，现有固晶工艺在实施时也会对芯片产生一定的作用力，导致芯片的位置和姿态发生变化，对于巨量的芯片排布而言，芯片的位置和姿态的变化，对最终成品的质量和良品率都有一定程度的影响，因此，如何实现芯片的精确转移定位成为亟待解决的技术问题。

发明内容

为了克服现有微小芯片的转移问题，本发明实施例提供了一种模块及模块加工方法，该模块通过辅助场调节每一个芯片的姿态与位置，能够保证芯片的固晶位置和自身姿态与预设值一致，提高产品的质量和良品率。

相应的，本发明提供了一种模块，包括基板和芯片，所述芯片的轴向尺寸较径向尺寸大；

所述基板上设置有用于产生辅助场的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极之间设置有电极线路；

在所述第一电极和第二电极之间阵列设置有若干个所述芯片，任意两个相邻的芯片之间的距离为预设值；

所述芯片的轴向两端分别为正极端和负极端，任一个所述芯片的正极端和负极端键合在所述电极线路的对应位置上。

可选的实施方式，所述电极线路包括若干组线路单元，每一组线路单元包括并排设置的一条正极线路和一条负极线路；

任一个所述芯片的正极端键合在对应的线路单元的正极线路上，任一个所述芯片的负极端键合在对应的线路单元的负极线路上。

可选的实施方式，任一条所述正极线路在对应于对应的芯片的正极端的表面设置有正极凹槽，所述芯片的正极端配合在对应的正极凹槽中；

和/或任一条所述负极线路在对应于对应的芯片的负极端的表面设置有负极凹槽，所述芯片的负极端配合在对应的负极凹槽中。

可选的实施方式，所述正极线路与所述第一电极连接，所述负极线路与所述第二电极连接。

可选的实施方式，任一个所述芯片的正极端和/或负极端基于电化学沉积工艺形成的膜层键合在所述电极线路的对应位置上。

相应的，本发明还提供了一种模块加工方法，包括：

将若干个芯片初步转移至基板上，所述若干个芯片位于所述基板的第一电极和第二电极之间，且任一个所述芯片落于对应的可调整区域内；

对所述第一电极和第二电极施加频率恒定且电压大小恒定的预设交流电压，在第一电极和第二电极间生成辅助场，所述辅助场以使落于所述辅助场内的每一个所述芯片调整至预设位置和预设姿态；

将所述芯片的正极端和负极端分别键合在所述电极线路的对应位置上。

可选的实施方式，所述辅助场为梯度电场，所述梯度电场使所述芯片极化，所述芯片的轴线与所述梯度电场的梯度变化方向保持一致；