[发明专利]一种模块及模块加工方法

权利要求书

1.一种模块，其特征在于，包括基板和芯片，所述芯片的轴向尺寸较径向尺寸大；

所述基板上设置有用于产生辅助场的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极之间设置有电极线路；

在所述第一电极和第二电极之间阵列设置有若干个所述芯片，任意两个相邻的芯片之间的距离为预设值；

所述芯片的轴向两端分别为正极端和负极端，任一个所述芯片的正极端和负极端分别基于对应位置上的通过电化学沉积方法形成的膜层键合在所述电极线路的对应位置上；

所述电极线路包括若干组线路单元，每一组线路单元包括并排设置的一条正极线路和一条负极线路；

任一个所述芯片的正极端键合在对应的线路单元的正极线路上，任一个所述芯片的负极端键合在对应的线路单元的负极线路上；

所有第一电极、第二电极和电极线路上均覆盖有通过电化学沉积方法形成的膜层。

2.如权利要求1所述的模块，其特征在于，任一条所述正极线路在对应于对应的芯片的正极端的表面设置有正极凹槽，所述芯片的正极端配合在对应的正极凹槽中；

和/或任一条所述负极线路在对应于对应的芯片的负极端的表面设置有负极凹槽，所述芯片的负极端配合在对应的负极凹槽中。

3.如权利要求1所述的模块，其特征在于，所述正极线路与所述第一电极连接，所述负极线路与所述第二电极连接。

4.一种模块加工方法，其特征在于，用于如权利要求1至3任一项所述的模块的加工，包括：

将若干个芯片初步转移至基板上，所述若干个芯片位于所述基板的第一电极和第二电极之间，且任一个所述芯片落于对应的可调整区域内；

对所述第一电极和第二电极施加频率恒定且电压大小恒定的预设交流电压，在第一电极和第二电极间生成辅助场，所述辅助场以使落于所述辅助场内的每一个所述芯片调整至预设位置和预设姿态；

将所述芯片的正极端和负极端分别键合在所述电极线路的对应位置上。

5.如权利要求4所述的模块加工方法，其特征在于，所述辅助场为梯度电场，所述梯度电场使所述芯片极化，所述芯片的轴线与所述梯度电场的梯度变化方向保持一致；

任意两个相邻的芯片在极化后相斥以使所述两个相邻的芯片之间的距离为预设值。

6.如权利要求4所述的模块加工方法，其特征在于，将所述芯片的正极端和负极端基于电化学沉积工艺分别键合在所述电极线路的对应位置上；

所述电化学沉积工艺以使所述芯片的正极端基于电化学沉积工艺形成的膜层键合在所述电极线路的对应位置上；

所述电化学沉积工艺以使所述芯片的负极端基于电化学沉积工艺形成的膜层键合在所述电极线路的对应位置上。

7.如权利要求6所述的模块加工方法，其特征在于，将所述芯片的正极端和负极端基于电化学沉积工艺分别键合在所述电极线路的对应位置上包括以下步骤：

基于电解液浸泡所述基板和所述若干个芯片；

以所述电极线路的表面、所述芯片的正极端的表面和所述芯片的负极端的表面为对象进行金属沉积并形成膜层；

所述芯片的正极端的膜层与电极线路对应位置上的膜层连接一体；

所述芯片的负极端的膜层与电极线路对应位置上的膜层连接一体。

8.如权利要求6所述的模块加工方法，其特征在于，在将所述芯片的正极端和负极端基于电化学沉积工艺分别键合在所述电极线路的对应位置上后，所述模块加工方法还包括：

对所述膜层进行退火处理。