[发明专利]一种Micro LED检测和转移方法

说明书

本发明提供一种Micro LED检测和转移方法，包括如下步骤：S1：形成阵列设置的外延层；S2：在外延层上制作金属电极层；S3：金属电极层与暂态基板的第一UV胶贴合；S4：激光剥离蓝宝石基板；S5：检测基板上涂覆第二UV胶，然后在第二UV胶上制作并图案化的光敏导电层；S6：光敏导电层与LED的外延层贴合并加电固化，在加电固化的过程中；S7：移走暂态基板；S8：检测基板把正常的LED转移至背板基板的键合电极上，LED的金属电极层与键合电极键合；S9：在背板基板对LED进行修补，具体修补步骤S6中的环的LED。本发明通过检测和转移同时进行，在LED转移至背板基板前进行检查，提高检查和效率；检测和转移同时进行，提高工艺效率。

技术领域

本发明涉及一种Micro LED的技术领域，尤其涉及一种Micro LED检测和转移方法。

背景技术

Micro LED显示器由于具有低功耗、高亮度、超高解析度与色彩饱和度、反应速度快、超省电(Micro LED显示器的耗电量为液晶显示器耗电量的10％，为有机电致发光显示器耗电量的50％)、长寿命、高效率、适应各种尺寸、无缝拼接等优势，因而成为目前最具有潜力的下一代新型显示技术。

制作Micro LED显示器需要将百万颗的微米级LED转移至背板上，目前技术转移后难免存在LED损坏、缺失、或键合不佳造成坏点的情况，如果不进行修补，便会造成显示不良，如何找出并修补这些坏点是迫切需要解决的难题。

目前对于LED的检测，一般是转移至背板后加电进行检测，发现坏点后，利用激光等方式去除坏点，再进行单颗修补，效率慢，且工艺复杂。

发明内容

本发明的目的在于提供一种同时进行检测和转移的Micro LED检测和转移方法。

本发明提供一种Micro LED检测和转移方法，包括如下步骤：

S1：首先在蓝宝石基板上沉积外延材料层；然后对外延材料层进行刻蚀形成阵列设置的外延层；

S2：在外延层上制作金属电极层，外延层和对应的金属电极层形成单颗LED；

S3：金属电极层与暂态基板的第一UV胶贴合；

S4：激光剥离蓝宝石基板；

S5：检测基板上涂覆第二UV胶，然后在第二UV胶上制作并图案化的光敏导电层；

S6：光敏导电层与LED的外延层贴合并加电固化，在加电固化的过程中，坏的LED将不会与光敏导电层进行贴合，正常的LED与光敏导电层进行固化贴合；

S7：移走暂态基板；

S8：检测基板把正常的LED转移至背板基板的键合电极上，LED的金属电极层与键合电极键合；

S9：在背板基板对LED进行修补，具体修补步骤S6中的环的LED。

进一步地，光敏导电层包括光敏层和掺杂在光敏层中的金属球或纳米银材料。

进一步地，光敏导电层为层状结构。

进一步地，光敏层的材料为丙烯酸酯类预聚物、活性单体和光引发剂混合后的材料。

进一步地，光引发剂为可见光引发剂。

进一步地，光敏导电层固化后的粘力大于第二UV胶的粘力。

本发明通过检测和转移同时进行，在LED转移至背板基板前进行检查，提高检查和效率；检测和转移同时进行，提高工艺效率。

附图说明

图1至图10为本发明Micro LED检测和转移方法步骤的示意图。

具体实施方式