[发明专利]一种Micro LED检测和转移方法在审
| 申请号： | 202011372893.4 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112490261A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 张有为;周宇;朱充沛;高威 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L21/78;H01L21/67;H01L21/683;G09F9/33 |
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| 地址： | 210033 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 检测 转移 方法 | ||
1.一种Micro LED检测和转移方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：首先在蓝宝石基板上沉积外延材料层；然后对外延材料层进行刻蚀形成阵列设置的外延层；
S2：在外延层上制作金属电极层，外延层和对应的金属电极层形成单颗LED；
S3：金属电极层与暂态基板的第一UV胶贴合；
S4：激光剥离蓝宝石基板；
S5：检测基板上涂覆第二UV胶，然后在第二UV胶上制作并图案化的光敏导电层；
S6：光敏导电层与LED的外延层贴合并加电固化，在加电固化的过程中，坏的LED将不会与光敏导电层进行贴合，正常的LED与光敏导电层进行固化贴合；
S7：移走暂态基板；
S8：检测基板把正常的LED转移至背板基板的键合电极上，LED的金属电极层与键合电极键合；
S9：在背板基板对LED进行修补，具体修补步骤S6中的环的LED。
2.根据权利要求1所述Micro LED检测和转移方法，其特征在于，光敏导电层包括光敏层和掺杂在光敏层中的金属球或纳米银材料。
3.根据权利要求2所述Micro LED检测和转移方法，其特征在于，光敏导电层为层状结构。
4.根据权利要求2所述Micro LED检测和转移方法，其特征在于，光敏层的材料为丙烯酸酯类预聚物、活性单体和光引发剂混合后的材料。
5.根据权利要求4所述Micro LED检测和转移方法，其特征在于，光引发剂为可见光引发剂。
6.根据权利要求1所述Micro LED检测和转移方法，其特征在于，光敏导电层固化后的粘力大于第二UV胶的粘力。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
