[发明专利]具有静电卡盘的基板处理装置及基板处理方法

说明书

基板处理装置的示例包括：腔室；设置在腔室内的上盖；静电卡盘，其包括电介质体的环形部分和嵌入该环形部分中的嵌入电极，该静电卡盘设置在腔室内；以及等离子体单元，配置为在上盖和静电卡盘下方的区域中产生等离子体，其中，环形部分包括位于上盖的紧下方的环形第一上表面和位于上盖的紧下方并围绕第一上表面的第二上表面，第二上表面具有高于第一上表面的高度的高度。

技术领域

描述了涉及基板处理装置和基板处理方法的示例。

背景技术

US 9,881,788 B公开了用于在基板的前表面和后表面之一上沉积应力补偿层和牺牲层的方法和设备。具体地，在晶片的前表面朝上取向的状态下执行背侧沉积。可以执行在前表面或后表面上的层的这样的沉积，以减小由于在前表面上的晶片的沉积而引入的应力。可以执行背侧沉积以使与在诸如光刻的沉积后处理期间产生的背侧颗粒有关的问题最小化。期望对这种技术进行改进。

发明内容

在此描述的一些示例可以解决上述问题。在此描述的一些示例可以提供使得能够在基板的下表面上执行等离子体处理的基板处理装置和基板处理方法。

在一些示例中，基板处理装置包括：腔室；设置在腔室内的上盖；静电卡盘，其包括电介质体的环形部分和嵌入该环形部分中的嵌入电极，该静电卡盘设置在腔室内；以及等离子体单元，配置为在上盖和静电卡盘下方的区域中产生等离子体，其中，环形部分包括位于上盖的紧下方的环形第一上表面，和位于上盖的紧下方并且围绕第一上表面的第二上表面，所述第二上表面具有高于所述第一上表面的高度的高度。

附图说明

图1是示出基板处理装置的构造示例的剖视图；

图2是静电卡盘的平面图；

图3是示出旋转臂被旋转的剖视图；

图4是示出旋转臂的构造示例的平面图；

图5是旋转臂和静电卡盘的平面图；

图6是示出基板的引入的剖视图；

图7是示出基板与静电卡盘之间的接触的剖视图；

图8是由静电卡盘支撑的基板的平面图；

图9是示出等离子处理的示例的剖视图；

图10A是示出根据另一示例的基板处理装置的构造示例的剖视图；

图10B是图10A的一部分的放大图；

图11是示出包括微波等离子体产生装置的基板处理装置的构造示例的剖视图；

图12是示出包括感应耦合等离子体装置的基板处理装置的构造示例的剖视图；和

图13是示出包括感应耦合等离子体装置的基板处理装置的另一构造示例的剖视图。

具体实施方式

将参照附图描述基板处理装置和基板处理方法。存在将相同的附图标记分配给相同或相应的部件的情况，并且重复的描述被省略。

图1是示出根据实施方式的基板处理装置的构造示例的截面图。该基板处理装置是平行板型等离子体处理装置。门12附接到腔室10，以便能够向腔室10的内部提供基板或从腔室10取出基板。腔室10可以被提供作为双腔室模块(DCM)的一部分或四腔室模块(QCM)的一部分。上盖14设置在腔室10的内部。根据示例，上盖14设置为地电极。地电极是用于接地的电极。