[发明专利]具有静电卡盘的基板处理装置及基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，包括：

腔室；

上盖，所述上盖设置在所述腔室内；

静电卡盘，所述静电卡盘包括电介质体的环形部分和嵌入到所述环形部分中的嵌入电极，所述静电卡盘设置在所述腔室内；以及

等离子体单元，所述等离子体单元配置为在所述上盖和所述静电卡盘下方的区域中产生等离子体，

其中，所述环形部分包括位于所述上盖的紧下方的环形第一上表面和位于所述上盖的紧下方并围绕所述第一上表面的第二上表面，所述第二上表面具有高于所述第一上表面的高度的高度。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述等离子体单元包括设置在所述上盖的下方以面对所述上盖的喷淋板。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述上盖被提供作为地电极。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述等离子体单元包括微波等离子体产生装置。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述等离子体单元包括感应耦合等离子体装置。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的基板处理装置，其中，所述上盖的下表面包括第一下表面和围绕所述第一下表面并且位于所述第一下表面下方的第二下表面。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述第二上表面位于所述第二下表面的紧下方，并且当所述第二下表面与所述第二上表面接触时，气体穿过所述上盖与所述静电卡盘之间的空间的流动被抑制。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的基板处理装置，其中，当所述上盖的所述下表面与所述第二上表面接触时，气体穿过所述上盖的所述下表面与所述第二上表面之间的空间的流动被阻止。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的基板处理装置，包括：

第一提升机构，其配置为使所述上盖在所述腔室内上下移动；和

第二提升机构，其配置为使所述静电卡盘在所述腔室内上下移动。

10.根据权利要求1-5中任一项所述的基板处理装置，其中，所述嵌入电极位于所述第一上表面的紧下方。

11.根据权利要求1-5中任一项所述的基板处理装置，其中，支撑销被设置为能够从所述上盖的紧下方的位置撤离。

12.一种基板处理方法，按以下的顺序包括：

将基板放在支撑销上，该支撑销设置在上盖的紧下方；

暴露所述基板的下表面的中央部分，同时用静电卡盘的环形第一上表面支撑所述基板的所述下表面的外边缘部分；

使所述静电卡盘的第二上表面与所述上盖紧密接触，同时避免所述上盖和所述基板之间的接触，所述第二上表面围绕所述第一上表面并且具有高于所述第一上表面的高度的高度；以及

在所述基板被所述静电卡盘吸引到所述第一上表面的状态下，在所述基板的所述下表面的所述中央部分上进行等离子体处理。

13.根据权利要求12所述的基板处理方法，其中，由所述基板、所述静电卡盘和所述上盖围绕的封闭空间在所述等离子体处理期间产生。

14.根据权利要求12或13所述的基板处理方法，其中，所述基板的所述下表面的整个外边缘部分被所述静电卡盘吸引到所述第一上表面。

15.根据权利要求12或13所述的基板处理方法，其中，在所述等离子体处理中，氧化物膜或氮化物膜形成在所述基板的所述下表面的所述中央部分。