[发明专利]薄膜晶体管阵列基板以及包括该阵列基板的电子装置在审

专利信息
申请号: 202011370619.3 申请日: 2020-11-30
公开(公告)号: CN113013179A 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 高永贤 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/32;G02F1/133;G02F1/1362
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 段丹辉;刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 以及 包括 电子 装置
【权利要求书】:

1.一种电子装置,该电子装置包括:

面板;

驱动电路,所述驱动电路被配置为驱动所述面板;

其中,设置在所述面板中的晶体管包括:

第一有源层,所述第一有源层被设置在基板上;

第一栅极绝缘膜,所述第一栅极绝缘膜被设置在所述第一有源层上以与所述第一有源层的一部分交叠;

第一栅极,所述第一栅极被设置在所述第一栅极绝缘膜上以与所述第一有源层的一部分交叠;

第一绝缘膜,所述第一绝缘膜被设置在所述第一栅极上;

第二有源层,所述第二有源层被设置在所述第一绝缘膜上以与所述第一有源层和所述第一栅极交叠;

第二栅极绝缘膜,所述第二栅极绝缘膜被设置在所述第二有源层上;以及

第二栅极,所述第二栅极被设置在所述第二栅极绝缘膜上以与所述第二有源层的一部分交叠,并且

所述第一栅极和所述第二栅极彼此交叠。

2.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述第一有源层包括:第一沟道区域,所述第一沟道区域与所述第一栅极交叠;以及第一区域和第二区域,所述第一区域和所述第二区域被制成导电并且彼此间隔开,所述第一沟道区域被插置在所述第一区域和所述第二区域之间,并且

所述第二有源层包括:第二沟道区域,所述第二沟道区域与所述第二栅极交叠;以及第三区域和第四区域,所述第三区域和所述第四区域被制成导电并且彼此间隔开,所述第二沟道区域被插置在所述第三区域和所述第四区域之间。

3.根据权利要求2所述的电子装置,其中,所述第一绝缘膜包括:

第一孔,所述第一孔使所述第一有源层的所述第一区域的上表面暴露;以及

第二孔,所述第二孔使所述第一有源层的所述第二区域的上表面暴露,

所述第二有源层的所述第三区域穿过所述第一孔与所述第一有源层的所述第一区域接触,并且

所述第二有源层的所述第四区域穿过所述第二孔与所述第一有源层的所述第二区域接触。

4.根据权利要求3所述的电子装置,所述电子装置还包括:

第二绝缘膜,所述第二绝缘膜被设置在所述第二栅极上;以及

第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极被设置为在所述第二绝缘膜上彼此间隔开,

其中,所述第二绝缘膜包括:

第三孔,所述第三孔使所述第二有源层的所述第三区域的上表面暴露;以及

第四孔,所述第四孔使所述第二有源层的所述第四区域的上表面暴露,

所述第一电极穿过所述第三孔与所述第二有源层的所述第三区域接触,并且

所述第二电极穿过所述第四孔与所述第二有源层的所述第四区域接触。

5.根据权利要求2所述的电子装置,所述电子装置还包括:

第三绝缘膜,所述第三绝缘膜被设置在所述第一有源层下方;以及

第一导电层,所述第一导电层被设置在所述第三绝缘膜下方。

6.根据权利要求5所述的电子装置,其中,所述第三绝缘膜包括第五孔,所述第五孔使所述第一导电层的上表面暴露,并且

所述第一有源层的所述第一区域穿过所述第五孔与所述第一导电层接触。

7.根据权利要求6所述的电子装置,其中,所述第一绝缘膜包括第六孔,所述第六孔使所述第一有源层的所述第二区域的上表面暴露,并且

所述第二有源层的所述第四区域穿过所述第六孔与所述第一有源层接触。

8.根据权利要求5所述的电子装置,所述电子装置还包括第三电极,所述第三电极位于设置在所述第二栅极上的第二绝缘膜上,并且

所述第三电极穿过设置在所述第二绝缘膜中的第七孔与所述第二有源层的所述第三区域接触。

9.根据权利要求8所述的电子装置,所述电子装置还包括第四电极,所述第四电极被与所述第三电极间隔开地设置在所述第二绝缘膜上,

其中,所述第四电极穿过设置在所述第二绝缘膜中的第八孔与所述第二有源层的所述第四区域接触。

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