[发明专利]具有纳米级图形化尺寸的光刻掩膜版及其制备方法

权利要求书

1.一种具有纳米级图形化尺寸的光刻掩膜版，包括具有第一表面和第二表面的透明基板，其特征在于，所述透明基板的第一表面设置有掩膜层，所述掩膜层设置有纳米级图形化结构，所述透明基板的第二表面设置有光子晶体增透层。

2.根据权利要求1所述的具有纳米级图形化尺寸的光刻掩膜版，其特征在于，所述掩膜层利用溅射或电子束蒸发工艺镀膜在透明基板上，所述掩膜层的材质为金属铬材料、硅材料、非透明氧化铝材料、氧化铁材料中的一种或多种混合，所述掩膜层的厚度为100-200nm。

3.根据权利要求1所述的具有纳米级图形化尺寸的光刻掩膜版，其特征在于，所述掩膜层上设置有钝化层，所述钝化层材质为透明氧化铝材料、氮化硅材料、氧化硅材料中的一种或多种混合。

4.根据权利要求3所述的具有纳米级图形化尺寸的光刻掩膜版，其特征在于，所述钝化层的厚度为入射紫外光的1/4波长的奇数倍。

5.根据权利要求1所述的具有纳米级图形化尺寸的光刻掩膜版，其特征在于，所述掩膜层的纳米级图形化结构和光子晶体增透层通过纳米压印模板压印后刻蚀得到。

6.根据权利要求1所述的具有纳米级图形化尺寸的光刻掩膜版，其特征在于，所述光子晶体增透层的纳米结构为阵列排布的微透镜结构，所述微透镜的弧度为0.5～3rad，所述微透镜的高度为150～400nm。

7.一种具有纳米级图形化尺寸的光刻掩膜版的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S01：在透明基板的第一表面利用溅射或电子束蒸发工艺镀膜掩膜层；

S02：在掩膜层上设置纳米级图形化结构；

S03：在透明基板的第二表面设置光子晶体增透层。

8.根据权利要求7所述的具有纳米级图形化尺寸的光刻掩膜版的制备方法，其特征在于，所述步骤S02在掩膜层上设置纳米级图形化结构的方法包括：

S21：在掩膜层的表面涂UV感光胶；

S22：用带有图形化结构的纳米压印模板压印在UV感光胶上，通过UV光照射固化成型，脱模取下纳米压印模板；

S23：通过ICP刻蚀工艺在没有胶阻挡的区域刻蚀出相应的图形化结构，最后去胶形成具有纳米级图形化结构的掩膜层。

9.根据权利要求7所述的具有纳米级图形化尺寸的光刻掩膜版的制备方法，其特征在于，所述步骤S03光子晶体增透层的制作方法包括：

S31：在透明基板的第二表面涂UV感光胶；

S32：用带有光子晶体结构的纳米压印模板压印在UV感光胶上，通过UV光照射固化成型，脱模取下纳米压印模板；

S33：通过ICP刻蚀工艺在没有胶阻挡的区域刻蚀出相应的光子晶体结构，最后去胶形成光子晶体增透层。

10.根据权利要求9所述的具有纳米级图形化尺寸的光刻掩膜版的制备方法，其特征在于，所述光子晶体增透层的纳米结构为阵列排布的微透镜结构，所述微透镜的弧度为0.5～3rad，所述微透镜的高度为150～400nm。