[发明专利]一种耐高温射频连接器及其制备方法

说明书

本发明公开了一种耐高温射频连接器及其制备方法，所述射频连接器包括金属芯柱、金属外框和陶瓷体，所述金属芯柱为T型，所述陶瓷体中心沿轴向设有供金属芯柱穿过的T型通孔，陶瓷体外表面下部设有一环形阶梯，所述金属外框为与陶瓷体外表面相配合的阶梯状；在陶瓷体T型通孔的转角处和下端沿内表面设有环形缺口，在陶瓷体的环形阶梯的转角处设有一圈凹槽，所述缺口和凹槽构成焊接空隙，用于将焊料线圈放置于焊接空隙内进行焊接，所述焊料线圈由金钯合金丝制成。本发明的射频连接器工作耐温1000℃，耐温时间30分钟，也保证陶瓷与金属件同心度控制在0.05mm内，有效地保证了高频信号的强度。

技术领域

本发明涉及一种耐高温射频连接器及其制备方法，属于信号传输技术领域。

背景技术

射频连接器是与同轴电缆、微带线或其它射频传输线连接，以实现传输线电气连接、分离或不同类型传输线转接的原件；属于机电一体化产品，起桥梁作用。随着通信技术的快速发展，特别是随着5G技术发展，信号传输面临高频转换的需要。而信号在射频连接器的高频转换过程中将产生大量热量，射频连接器的耐热性能的好坏将影响信号传输的工作。现有的射频连接器一般采用玻璃封装或钎焊工艺制作，其工作温度低于600℃，随着5G技术发展，信号的高频转换，连接器需要承受更高的温度保证信号的强度。

发明内容

本发明的目的是针对以上技术问题，发明一种耐高温射频连接器及其制备方法，以承受更高的温度保证信号传输的强度。

本发明的技术方案为：一种耐高温射频连接器的制备方法，所述射频连接器包括金属芯柱、金属外框和陶瓷体，所述金属芯柱为T型，所述陶瓷体中心沿轴向设有供金属芯柱穿过的T型通孔，陶瓷体外表面下部设有一环形阶梯，所述金属外框为与陶瓷体外表面相配合的阶梯状；在陶瓷体T型通孔的转角处和下端沿内表面设有环形缺口，在陶瓷体的环形阶梯的转角处设有一圈凹槽，所述缺口和凹槽构成焊接空隙；

所述制备方法包括以下步骤：

(1)使用氧化铝制备并加工成所述陶瓷体；

(2)采用钼锰金属化工艺在陶瓷体表面形成一层金属化层，然后在金属化层上镀一层镍层；

(3)将金属芯柱插入陶瓷体的T型通孔中，再将陶瓷体放入金属外框内，在装配过程中将焊料线圈放置于所述焊接空隙内，所述焊料线圈由金钯合金丝制成；

(4)在保护气氛下，在焊接温度为1200～1350℃下进行焊接，制备得到所述射频连接器。

上述的耐高温射频连接器的制备方法，进一步的，所述步骤(2)在所述焊接空隙及其临近区域形成金属化层。

上述的耐高温射频连接器的制备方法，进一步的，所述步骤(2)金属化层厚度为15～35微米，镍层厚度为3～8微米。

上述的耐高温射频连接器的制备方法，进一步的，所述步骤(2)制备金属化层的方法为：将金属化粉和粘接剂制成金属化膏剂，涂覆在陶瓷体表面，然后在1400～1600℃的温度下烧结。

上述的耐高温射频连接器的制备方法，进一步的，所述金属化粉包括按重量份计的下述组分：钼40-60份，锰10-20份，氧化锰10-20份，氧化铝10-20份，二氧化硅5-15份，氧化钙1-3份，以及氧化铁和氧化镁1-2份。

上述的耐高温射频连接器的制备方法，进一步的，所述步骤(2)的镀镍采用钯活化镀镍工艺，先用钯活化液活化金属化层，再镀镍。

上述的耐高温射频连接器的制备方法，进一步的，所述步骤(3)金钯合金丝钯含量5wt％～15wt％。

上述的耐高温射频连接器的制备方法，进一步的，所述步骤(3)金钯合金丝钯含量8～10wt％。

上述的耐高温射频连接器的制备方法，进一步的，所述步骤(4)保护气氛为氨分解气体、氮气或氩气，焊接保温时间为2～10分钟。