[发明专利]一种耐高温射频连接器及其制备方法有效
| 申请号： | 202011361639.4 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112510405B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 康文涛;刘溪海;康丁华 | 申请（专利权）人： | 娄底市安地亚斯电子陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | H01R13/03 | 分类号： | H01R13/03;H01R24/40;H01R43/00;H01R43/02;C04B35/10;C04B41/90;C04B37/02;C25D3/12;C25D5/34;C22C30/00;C22C27/04;C22C32/00 |
| 代理公司： | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人： | 刘向丹 |
| 地址： | 417000 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 耐高温 射频 连接器 及其 制备 方法 | ||
1.一种耐高温射频连接器的制备方法，其特征在于，所述射频连接器包括金属芯柱、金属外框和陶瓷体，所述金属芯柱为T型，所述陶瓷体中心沿轴向设有供金属芯柱穿过的T型通孔，陶瓷体外表面下部设有一环形阶梯，所述金属外框为与陶瓷体外表面相配合的阶梯状；
在陶瓷体T型通孔的转角处和下端沿内表面设有环形缺口，在陶瓷体的环形阶梯的转角处设有一圈凹槽，所述缺口和凹槽构成焊接空隙；
所述制备方法包括以下步骤：
(1)使用氧化铝制备并加工成所述陶瓷体；
(2)采用钼锰金属化工艺在陶瓷体表面形成一层金属化层，然后在金属化层上镀一层镍层；
(3)将金属芯柱插入陶瓷体的T型通孔中，再将陶瓷体放入金属外框内，在装配过程中将焊料线圈放置于所述焊接空隙内，所述焊料线圈由金钯合金丝制成；
(4)在保护气氛下，在焊接温度为1200～1350℃下进行焊接，制备得到所述射频连接器。
2.根据权利要求1所述的耐高温射频连接器的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)在所述焊接空隙及其临近区域形成金属化层。
3.根据权利要求1所述的耐高温射频连接器的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)金属化层的厚度为15～35微米，镍层的厚度为3～8微米。
4.根据权利要求1或3所述的耐高温射频连接器的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)制备金属化层的方法为：将金属化粉和粘接剂制成金属化膏剂，涂覆在陶瓷体表面，然后在1400～1600℃的温度下烧结。
5.根据权利要求4所述的耐高温射频连接器的制备方法，其特征在于，所述金属化粉包括按重量份计的下述组分：钼40-60份，锰10-20份，氧化锰10-20份，氧化铝10-20份，二氧化硅5-15份，氧化钙1-3份，以及氧化铁和氧化镁1-2份。
6.根据权利要求1或3所述的耐高温射频连接器的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)的镀镍采用钯活化镀镍工艺，先用钯活化液活化金属化层，再镀镍。
7.根据权利要求1所述的耐高温射频连接器的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)金钯合金丝钯含量5wt％～15wt％。
8.根据权利要求7所述的耐高温射频连接器的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)金钯合金丝钯的含量8～10wt％。
9.根据权利要求1或7所述的耐高温射频连接器的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)保护气氛为氨分解气体、氮气或氩气，焊接保温时间为2～10分钟。
10.一种耐高温射频连接器，其特征在于，采用权利要求1～9任一项所述的方法制备得到。
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