[发明专利]集成电路封装件及其形成方法

说明书

提供了集成电路封装件及其形成方法。集成电路封装件包括光子集成电路管芯。光子集成电路管芯包括光耦合器。集成电路封装件还包括密封光子集成电路管芯的密封剂、位于光子集成电路管芯和密封剂上方的第一再分布结构以及延伸穿过第一再分布结构并且暴露光耦合器的开口。

技术领域

本申请的实施例涉及集成电路封装件及其形成方法。

背景技术

由于各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高，半导体工业经历了快速的增长。在大多数情况下，迭代减小最小部件尺寸可以提高集成密度，从而可以将更多组件集成至给定区域中。随着对缩小电子器件的需求的增长，已经出现了对更小且更具创造性的半导体管芯封装技术的需求。这种封装系统的实例是叠层(PoP)技术。在PoP器件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部，以提供高水平的集成度和组件密度。PoP技术通常能够在印刷电路板(PCB)上生产增强功能且小的覆盖区的半导体器件。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种集成电路封装件，包括：光子集成电路管芯，所述光子集成电路管芯包括光耦合器；密封剂，密封所述光子集成电路管芯；第一再分布结构，位于所述光子集成电路管芯和所述密封剂上方；以及开口，暴露所述光耦合器和所述第一再分布结构的侧壁。

本申请的另一些实施例提供了一种集成电路封装件，包括：密封剂，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；光子集成电路管芯，嵌入在所述密封剂中，所述光子集成电路管芯包括光耦合器，所述光子集成电路管芯的第一表面与所述密封剂的第一表面齐平；第一再分布结构，位于所述密封剂的第一表面上；第二再分布结构，位于所述密封剂的第二表面上；以及开口，暴露所述光耦合器，所述开口的侧壁延伸穿过所述第一再分布结构。

本申请的又一些实施例提供了一种形成集成电路封装件的方法，包括：将光子集成电路管芯附接至载体衬底，所述光子集成电路管芯包括光耦合器；在所述载体衬底和所述光子集成电路管芯上方形成密封剂，所述密封剂沿着所述光子集成电路管芯的侧壁延伸；在所述光子集成电路管芯和所述密封剂上方形成第一再分布结构；以及图案化所述第一再分布结构以在所述第一再分布结构中形成开口，所述开口暴露所述光耦合器。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的集成电路管芯的截面图。

图2示出了根据一些实施例的集成电路管芯的截面图。

图3示出了根据一些实施例的集成电路管芯的截面图。

图4示出了根据一些实施例的集成电路管芯的截面图。

图5至图14示出了根据一些实施例在形成封装件的工艺期间的中间步骤的截面图。

图15至图22示出了根据一些实施例在形成封装件的工艺期间的中间步骤的截面图。

图23至图32示出了根据一些实施例在形成封装件的工艺期间的中间步骤的截面图。

图33示出了根据一些实施例的封装件的截面图。

图34至图43示出了根据一些实施例在形成封装件的工艺期间的中间步骤的截面图。

图44示出了根据一些实施例的封装件的截面图。

具体实施方式