[发明专利]集成电路封装件及其形成方法在审
| 申请号： | 202011361227.0 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112864119A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 戴志轩;翁崇铭;郭鸿毅;谢政杰;蔡豪益;刘重希;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/31;H01L25/16;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 封装 及其 形成 方法 | ||
1.一种集成电路封装件，包括：
光子集成电路管芯，所述光子集成电路管芯包括光耦合器；
密封剂，密封所述光子集成电路管芯；
第一再分布结构，位于所述光子集成电路管芯和所述密封剂上方；以及
开口，暴露所述光耦合器和所述第一再分布结构的侧壁。
2.根据权利要求1所述的集成电路封装件，其中，所述光耦合器是边缘耦合器。
3.根据权利要求1所述的集成电路封装件，其中，所述开口延伸穿过所述第一再分布结构，并且其中，所述光耦合器是光栅耦合器。
4.根据权利要求1所述的集成电路封装件，还包括：光纤，耦合至所述光耦合器。
5.根据权利要求1所述的集成电路封装件，还包括：第二再分布结构，位于所述光子集成电路管芯和所述密封剂下方。
6.根据权利要求5所述的集成电路封装件，还包括：通孔，位于所述密封剂内并且将所述第一再分布结构电耦接至所述第二再分布结构。
7.根据权利要求1所述的集成电路封装件，还包括：封装衬底，附接至所述第一再分布结构。
8.一种集成电路封装件，包括：
密封剂，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
光子集成电路管芯，嵌入在所述密封剂中，所述光子集成电路管芯包括光耦合器，所述光子集成电路管芯的第一表面与所述密封剂的第一表面齐平；
第一再分布结构，位于所述密封剂的第一表面上；
第二再分布结构，位于所述密封剂的第二表面上；以及
开口，暴露所述光耦合器，所述开口的侧壁延伸穿过所述第一再分布结构。
9.根据权利要求8所述的集成电路封装件，其中，所述光耦合器是边缘耦合器或光栅耦合器。
10.一种形成集成电路封装件的方法，包括：
将光子集成电路管芯附接至载体衬底，所述光子集成电路管芯包括光耦合器；
在所述载体衬底和所述光子集成电路管芯上方形成密封剂，所述密封剂沿着所述光子集成电路管芯的侧壁延伸；
在所述光子集成电路管芯和所述密封剂上方形成第一再分布结构；以及
图案化所述第一再分布结构以在所述第一再分布结构中形成开口，所述开口暴露所述光耦合器。
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