[发明专利]封装件及其形成方法有效
申请号: | 202011359780.0 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN112435966B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 李维平 | 申请(专利权)人: | 上海易卜半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L21/60;H01L23/488;H01L25/18;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 童剑雄 |
地址: | 201700 上海市青浦区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 及其 形成 方法 | ||
本发明提供一种形成封装件的方法,所述方法包括:在载体的上方放置多个第一芯片层,每个第一芯片层包括正面朝下的多个第一芯片和在所述多个第一芯片之间的多个芯片联接器;在所述多个第一芯片层上放置并组装第二芯片层,所述第二芯片层包括正面朝下的多个第二芯片;在所述载体的上方对所述多个第一芯片层和所述第二芯片层进行模塑处理;去除所述载体以形成封装件主体,并在所述封装件主体的下方添加重布线层和凸点;以及分割所述封装件主体以形成多个所述封装件。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种封装件及其形成方法。
背景技术
目前,半导体集成电路所需的功能越来越多,所需的计算速度越来越快,在这种形势下,业界已经开始在芯片堆叠技术的研发上增加投入,以探索在芯片堆叠技术中更有效的解决方案。然而,传统的晶圆级封装(WLP)技术无法实现芯片的堆叠。而在传统的芯片堆叠技术中,堆叠大多是在最终组装中完成的,并且需要利用硅片通孔(TSV,ThroughSilicon Via)、玻璃基板通孔(TGV,Through Glass Via)、塑封层通孔(TMV,Through MoldVia)或者引线键合(Wire-bond)等技术来实现堆叠芯片间的竖直联接。传统堆叠技术的封装工艺较复杂并且成本较高。
发明内容
本发明实施例提供一种形成封装件的方案,该封装件包含堆叠的多个芯片。
本发明的一个方面提出了一种形成封装件的方法,其可以包括:在载体的上方放置多个第一芯片层,每个第一芯片层包括正面朝下的多个第一芯片和在所述多个第一芯片之间的多个芯片联接器;在所述多个第一芯片层上放置并组装第二芯片层,所述第二芯片层包括正面朝下的多个第二芯片;在所述载体的上方对所述多个第一芯片层和所述第二芯片层进行模塑处理;去除所述载体以形成封装件主体,并在所述封装件主体的下方添加重布线层和凸点;以及分割所述封装件主体以形成多个所述封装件。
多个芯片联接器可以是有源联接器件或无源联接器件。
多个芯片联接器可以被设置成在竖直方向上包含至少一个通孔。
在由位于不同第一芯片层中的多个芯片联接器形成的堆叠中,每个芯片联接器在竖直方向上的中心轴线可以不完全重合。
在由位于不同第一芯片层中的多个芯片联接器形成的堆叠中,每个芯片联接器在竖直方向上的中心轴线可以与相隔一个第一芯片层的第一芯片层中的芯片联接器在竖直方向上的中心轴线重合。
在由位于不同第一芯片层中的多个芯片联接器形成的堆叠中,每个芯片联接器在竖直方向上的中心轴线可以彼此不重合。
封装件可以包括由多个第一芯片堆叠在一起而形成的第一芯片堆叠、放置在所述第一芯片堆叠上方第二芯片和由多个被分割的芯片联接器堆叠在一起而形成的两个芯片联接器堆叠,其中,所述第二芯片被组装在所述两个芯片联接器堆叠的上方,其中,所述第二芯片能够通过所述芯片联接器堆叠和所述重布线层电联接至所述第一芯片堆叠,或者所述第二芯片能够通过所述芯片联接器堆叠电联接至所述第一芯片堆叠。
本发明的另一个方面提出了一种形成封装件的方法,其可以包括:在载体的上方放置多个第一芯片层,每个第一芯片层包括正面朝下的多个第一芯片和在所述多个第一芯片之间的多个第一芯片联接器和多个第二芯片联接器;在所述多个第一芯片层上放置并组装第二芯片层,所述第二芯片层包括正面朝下的多个第二芯片;在所述载体的上方对所述多个第一芯片层和所述第二芯片层进行模塑处理;去除所述载体以形成封装件主体,并在所述封装件主体的下方添加重布线层和凸点;以及分割所述封装件主体以形成多个所述封装件。
多个第一芯片联接器可以是有源联接器件或无源联接器件,并且所述多个第二芯片联接器可以是有源联接器件或无源联接器件。
多个第一芯片联接器和多个第二芯片联接器可以被设置成在竖直方向上包含至少一个通孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造