[发明专利]形成半导体封装件的方法及半导体封装件

说明书

本发明提供了形成半导体封装件的方法及半导体封装件，方法包括：提供半导体器件，半导体器件至少包括：半导体晶圆和位于半导体晶圆上方的至少两个金属焊盘；在半导体器件的上方形成晶种层；在晶种层的上方形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层中形成第一开口，其中，第一开口位于第一金属焊盘的至少一部分的正上方；在第一开口中形成第一高度的第一金属部件；去除第一光刻胶层；在晶种层之上形成第二光刻胶层；在第二光刻胶层中形成第二开口，其中，第二开口位于第二金属焊盘的至少一部分的正上方；在第二开口中形成第二高度的第二金属部件；去除第二光刻胶层。利用上述方法，能够对不同尺寸的金属凸块进行高度控制。

技术领域

本发明属于半导体领域，具体涉及形成半导体封装件的方法及半导体封装件。

背景技术

本部分旨在为权利要求书中陈述的本发明的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。

在半导体封装领域，晶圆凸块(wafer bumping)通常形成为统一尺寸，这是因为在同一晶圆上难以对不同尺寸凸块的高度进行控制，在电镀工艺中大尺寸凸块通常比小尺寸凸块镀得更快，造成凸块高度的不均匀，影响芯片良品率。

发明内容

针对上述现有技术中存在的问题，提出了形成半导体封装件的方法及半导体封装件，利用这种方法及封装件，能够解决上述问题。

本发明提供了以下方案。

第一方面，提供一种形成半导体封装件的方法，包括：提供半导体器件，半导体器件至少包括：半导体晶圆和位于半导体晶圆上方的至少两个金属焊盘；在半导体器件的上方形成晶种层，晶种层与每个金属焊盘电连接；在晶种层的上方形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层中形成第一开口以暴露晶种层，其中，第一开口位于至少两个金属焊盘中的至少一个第一金属焊盘的至少一部分的正上方；在第一开口中形成第一高度的第一金属部件；去除第一光刻胶层；去除第一光刻胶层之后，在晶种层之上形成第二光刻胶层；在第二光刻胶层中形成第二开口以暴露晶种层，其中，第二开口位于至少两个金属焊盘中的至少一个第二金属焊盘的至少一部分的正上方；在第二开口中形成第二高度的第二金属部件；去除第二光刻胶层。

在一些实施例中，方法还包括：在半导体晶圆和至少两个金属焊盘的上方形成图案化的钝化层，钝化层将每个金属焊盘的至少一部分暴露出来；晶种层至少覆盖在每个金属焊盘的暴露表面。

在一些实施例中，形成图案化的钝化层之后，方法还包括：在钝化层的表面形成聚合物层。

在一些实施例中，方法还包括：在聚合物层和至少两个金属焊盘的暴露表面上溅射金属材料以形成晶种层；以及，在去除第二光刻胶层之后，蚀刻去除晶种层的曝光部分。

在一些实施例中，方法还包括：在晶种层上方沉淀第一厚度的第一光刻胶层，在第一光刻胶层上方放置用于图案化第一光刻胶层的第一掩模层以形成第一开口；以及，去除第一光刻胶层之后，在晶种层上方沉淀第二厚度的第二光刻胶层，在第二光刻胶层上方放置用于图案化第二光刻胶层的第二掩模层以形成第二开口。

在一些实施例中，还包括：在去除第一光刻胶层之后，在晶种层的上方形成完全覆盖第一金属部件的第二光刻胶层。

在一些实施例中，第一金属部件和第二金属部件的粗细度不同。

在一些实施例中，第一金属部件和第二金属部件均为凸块下金属。

第二方面，提供一种半导体封装件，包括：利用如第一方面的方法封装得到的半导体封装件。