[发明专利]形成半导体封装件的方法及半导体封装件有效
| 申请号： | 202011359779.8 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112420534B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李维平 | 申请（专利权）人： | 上海易卜半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 杨黎峰 |
| 地址： | 201700 上海市青浦区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 封装 方法 | ||
1.一种形成半导体封装件的方法，其特征在于，包括：
提供半导体器件，所述半导体器件至少包括：半导体晶圆和位于所述半导体晶圆上方的至少两个金属焊盘；
在所述半导体器件的上方形成晶种层，所述晶种层与每个所述金属焊盘电连接；
在所述晶种层的上方形成第一光刻胶层；在所述第一光刻胶层中形成第一开口以暴露所述晶种层，其中，所述第一开口位于所述至少两个金属焊盘中的至少一个第一金属焊盘的至少一部分的正上方；在所述第一开口中形成第一高度的第一金属部件；去除所述第一光刻胶层；
去除所述第一光刻胶层之后，在所述晶种层之上形成第二光刻胶层；在所述第二光刻胶层中形成第二开口以暴露所述晶种层，其中，所述第二开口位于所述至少两个金属焊盘中的至少一个第二金属焊盘的至少一部分的正上方；在所述第二开口中形成第二高度的第二金属部件，所述第二高度不同于所述第一高度；去除所述第二光刻胶层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述半导体晶圆和所述至少两个金属焊盘的上方形成图案化的钝化层，所述钝化层将每个所述金属焊盘的至少一部分暴露出来；
所述晶种层至少覆盖在每个所述金属焊盘的暴露表面。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，形成图案化的钝化层之后，所述方法还包括：在所述钝化层的表面形成聚合物层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述聚合物层和所述至少两个金属焊盘的暴露表面上溅射金属材料以形成所述晶种层；以及，
在去除所述第二光刻胶层之后，蚀刻去除所述晶种层的曝光部分。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述晶种层上方沉淀第一厚度的所述第一光刻胶层，在所述第一光刻胶层上方放置用于图案化所述第一光刻胶层的第一掩模层以形成所述第一开口；以及，
去除所述第一光刻胶层之后，在所述晶种层上方沉淀第二厚度的所述第二光刻胶层，在所述第二光刻胶层上方放置用于图案化所述第二光刻胶层的第二掩模层以形成所述第二开口。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述去除所述第一光刻胶层之后，在所述晶种层的上方形成完全覆盖所述第一金属部件的所述第二光刻胶层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属部件和所述第二金属部件的粗细度不同。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属部件和所述第二金属部件均为凸块下金属。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
