[发明专利]一种半导体陶瓷电容器生产设备

说明书

本发明公开了一种半导体陶瓷电容器生产设备，其结构包括箱座、控制箱、热压机、电机、升降柱，箱座后端上侧与控制箱下侧焊接连接，热压机与升降柱外侧活动卡合，电机下侧与升降柱上端嵌固连接，升降柱下侧与箱座中部上侧螺栓连接，顶出杆向上顶压带动调节杆推动连接杆曲线转动对模板内部的瓷土毛刺进行切割，顶出杆向上同时保护罩内部的弹簧柱压缩向上通过顶针对模板内侧的瓷土进行刺穿，提高电容生产的成品率，侧面的框体内部的顶杆被连接杆推动带动将滑块向上推动，随后通过复位板向下回弹，这个过程带动了刮片在框体的外侧上下移动，对瓷土外侧的刺边进行了刮除，提高了半导体陶瓷电容的抗电击破能力，同时提高了电容的滤波能力。

技术领域

本发明属于导体陶瓷领域，更具体的说，尤其涉及到一种半导体陶瓷电容器生产设备。

背景技术

半导体陶瓷电容器主要用于为送电、配电管路处理脉冲能量，通过将高介电常数的电容器陶瓷挤压呈圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成，在挤压陶瓷的过程中需要用到热压机对瓷体进行热压成型，在高压半导体陶瓷电容器的热压过程中通过将陶瓷与导体层叠热压，但是由于陶瓷在热压过程中内部的水分子活动加剧容易形成空泡，空泡降低了陶瓷层与导体层之间的电阻系数，同时有可能会导致电容侧面产生刺边，刺边会造成电容外部包裹层破裂降低了电容的抗电击破能力，使得电容的滤波能力下降，降低了半导体陶瓷电容器的工作效能。

发明内容

为了解决上述技术陶瓷在热压过程中内部的水分子活动加剧容易形成空泡，空泡降低了陶瓷层与导体层之间的电阻系数，同时有可能会导致电容侧面产生刺边，本发明提供一种半导体陶瓷电容器生产设备。

为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种半导体陶瓷电容器生产设备，其结构包括箱座、控制箱、热压机、电机、升降柱，所述箱座后端上侧与控制箱下侧焊接连接，所述热压机与升降柱外侧活动卡合，所述电机下侧与升降柱上端嵌固连接，所述升降柱下侧与箱座中部上侧螺栓连接，所述热压机包括升降块、下压器、热压盘，所述升降块右端内部与升降柱外侧活动卡合，所述下压器下端与升降块左端内部嵌固连接，所述热压盘中部上侧与下压器下端焊接连接。

作为本发明的进一步改进，所述热压盘包括螺纹柱、水平盘、底模，所述螺纹柱内部与下压器下端螺纹配合，所述水平盘中部上侧与螺纹柱下侧相焊接，所述底模上侧与水平盘下端间隙配合，所述螺纹柱与水平盘垂直安装，所述水平盘大小与底模上侧的大小相同。

作为本发明的进一步改进，所述底模包括主体块、顶升台、加热管、小模块，所述主体块内部与顶升台外侧滑动配合，所述顶升台上侧与小模块下端间隙配合，所述加热管与主体块内部嵌固连接，所述小模块上侧与水平盘下侧间隙配合，所述主体块内部为空心结构，并且所述顶升台外侧宽度与主体块内部大小相同，所述小模块数量为五个，并且呈直线分布。

作为本发明的进一步改进，所述小模块包括固定框、顶出杆、调节杆、连接杆，所述固定框内部与顶出杆外侧焊接连接，所述调节杆与顶出杆中部外侧轴连接，所述连接杆轴连接在调节杆上端与顶出杆上端外侧之间，所述连接杆形状为弧形，并且数量为两个，以顶出杆为中心呈左右对称分布。

作为本发明的进一步改进，所述顶出杆包括保护罩、弹簧柱、模板、顶针，所述保护罩外侧与模板内侧间隙配合，所述弹簧柱与保护罩嵌固连接，所述模板外侧与固定框上端外侧嵌固连接，所述顶针与弹簧柱上侧焊接连接，所述顶针数量为五个，并且呈水平分布，所述保护罩材质为丁基橡胶材质，具有耐磨损，弹性好的特点。

作为本发明的进一步改进，所述顶针包括针体、弹片、刺球，所述针体下端与弹簧柱上端内部嵌固连接，所述弹片与针体内部轴连接，所述刺球与弹片上端轴连接，所述刺球数量为六个，并且以针体中部为中心呈左右对称分布。