[发明专利]用于LEPS软译码估计的读写方法、装置及电子设备

说明书

一种用于LEPS软译码估计的读写方法、装置及电子设备。读写方法包括：将信息位编码得到的码字沿着第一方向依次写入至三维存储器中各层存储单元阵列的目标存储单元。随机对各层存储单元阵列中的目标存储单元进行读取，或者按照第二方向依序对各层存储单元阵列中的目标存储单元进行读取。根据读取时当前目标存储单元对应的存储时间、阈值电压分区、综合分布态以及一预先建立的LLR表确定当前目标存储单元的LLR值，以基于当前目标存储单元的LLR值对目标存储单元的码字进行软译码操作。其中，目标存储单元的综合分布态根据参考存储单元对于当前目标存储单元分布态的影响确定，参考存储单元根据第一方向确定或者根据第一方向与第二方向确定。

技术领域

本公开属于存储器的编码与译码技术领域，涉及一种用于LEPS软译码估计的读写方法、装置及电子设备。

背景技术

非易失性存储器具有多种类型，诸如：只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM)，电可改写只读存储器(EAROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)以及闪存(Flash Memory)等。非易失性存储器进行信息存储时需要对数据进行编码，并将编码之后的数据写入至存储器阵列中的存储单元，在读出时需要进行译码操作。

现有的非易失性存储器采用LDPC软译码时，通常而言，对于单层单元(SLC)闪存存储器，沿着阈值电压分布有两个分布态，两个分布态之间具有交叠，每个交叠处读3次，将读出的数据沿着阈值电压的分布划分成4块区域。不同区域对应不同的LLR值，LLR的表达式为：LLR＝Log(P₀/P₁)，其中，P₀表示为逻辑0的概率，P₁表示为逻辑1的概率。不同的LLR值体现的是不同的置信度与可靠性。LLR值越高，表示该区域读出是0的概率越高。上述LDPC软译码的方式同样适用于两层单元(MLC)以及三层单元(TLC)闪存存储器，区别之处在于MLC沿着阈值电压分布有2²＝4个分布态，TLC沿着阈值电压分布有2³＝8个分布态。在LDPC算法中，对于LLR值进行估计的一种算法为基于分布态的LLR估计方法LEPS，然而，仍然存在提高LLR值的估计能力以提高LDPC软译码的纠错能力，降低误码率与迭代次数的需求。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本公开提供了一种用于LEPS软译码估计的读写方法、装置及电子设备，以至少部分解决以上所提出的技术问题。

(二)技术方案

本公开的一个方面提高了一种用于LEPS软译码估计的读写方法。上述读写方法应用于三维存储器，该三维存储器包括：垂直于衬底设置的多个垂直通道结构，与多条垂直通道结构交叉设置的且相互平行的多层存储单元阵列，上下层的存储单元阵列中位置对应的存储单元连接于同一个垂直通道结构。用于LEPS软译码估计的读写方法包括：将信息位编码得到的码字沿着第一方向依次写入至三维存储器中各层存储单元阵列的目标存储单元。其中，第一方向包括自下而上或自上而下。上述读写方法还包括：随机对各层存储单元阵列中的目标存储单元进行读取，或者按照第二方向依序对各层存储单元阵列中的目标存储单元进行读取。第二方向与第一方向相同或相反。上述读写方法还包括：根据读取时当前目标存储单元对应的存储时间、阈值电压分区、综合分布态以及一预先建立的LLR表确定当前目标存储单元的LLR值，以基于当前目标存储单元的LLR值对目标存储单元的码字进行软译码操作。其中，当前目标存储单元的综合分布态根据与当前目标存储单元对应同一个垂直通道结构的参考存储单元对于当前目标存储单元分布态的影响确定。当随机对各层存储单元阵列中的目标存储单元进行读取时，参考存储单元根据第一方向确定。当按照第二方向依序对各层存储单元阵列中的目标存储单元进行读取时，参考存储单元根据第一方向与第二方向确定。预先建立的LLR表的输入量为：存储时间、阈值电压分区和综合分布态，输出量为LLR值。