[发明专利]用于LEPS软译码估计的读写方法、装置及电子设备

权利要求书

1.一种用于LEPS软译码估计的读写方法，其特征在于，应用于三维存储器，所述三维存储器包括：垂直于衬底设置的多个垂直通道结构，与所述多个 垂直通道结构交叉设置的且相互平行的多层存储单元阵列，上下层的存储单元阵列中位置对应的存储单元连接于同一个垂直通道结构，所述读写方法包括：

将信息位编码得到的码字沿着第一方向依次写入至所述三维存储器中各层存储单元阵列的目标存储单元；所述第一方向包括自下而上或自上而下；

随机对各层存储单元阵列中的目标存储单元进行读取，或者按照第二方向依序对各层存储单元阵列中的目标存储单元进行读取，所述第二方向与所述第一方向相同或相反；以及

根据读取时当前目标存储单元对应的存储时间、阈值电压分区、综合分布态以及一预先建立的LLR表确定当前目标存储单元的LLR值，以基于当前目标存储单元的LLR值对当前目标存储单元的码字进行软译码操作；

其中，所述当前目标存储单元的综合分布态根据与所述当前目标存储单元对应同一个垂直通道结构的参考存储单元对于当前目标存储单元分布态的影响确定；当随机对各层存储单元阵列中的目标存储单元进行读取时，所述参考存储单元根据所述第一方向确定；当按照第二方向依序对各层存储单元阵列中的目标存储单元进行读取时，所述参考存储单元根据所述第一方向与所述第二方向确定；所述预先建立的LLR表的输入量为：存储时间、阈值电压分区和综合分布态，输出量为LLR值。

2.根据权利要求1所述的读写方法，其特征在于，所述参考存储单元根据所述第一方向与所述第二方向确定包括：

当所述第二方向与所述第一方向相同时，所述参考存储单元为沿着所述第二方向与所述当前目标存储单元邻近的后一层存储单元阵列中的存储单元。

3.根据权利要求 1所述的读写方法，其特征在于，所述参考存储单元根据所述第一方向与所述第二方向确定包括：

当所述第二方向与所述第一方向相反时，所述参考存储单元为沿着所述第二方向与所述当前目标存储单元邻近的前一层存储单元阵列中的存储单元。

4.根据权利要求 1所述的读写方法，其特征在于，所述参考存储单元根据所述第一方向与所述第二方向确定包括：

当所述第二方向与所述第一方向相反时，所述参考存储单元为沿着所述第二方向与所述当前目标存储单元邻近的前一层存储单元阵列中的存储单元及后一层存储单元阵列中的存储单元。

5.根据权利要求1所述的读写方法，其特征在于，所述参考存储单元根据所述第一方向与所述第二方向确定包括：

当所述第二方向与所述第一方向相同时，所述参考存储单元为沿着所述第二方向与所述当前目标存储单元邻近的前一层存储单元阵列中的存储单元。

6.根据权利要求1所述的读写方法，其特征在于，所述参考存储单元根据所述第一方向确定，包括：

所述参考存储单元为沿着所述第一方向与所述当前目标存储单元邻近的后一层存储单元阵列中的存储单元。

7.根据权利要求1所述的读写方法，其特征在于，所述参考存储单元根据所述第一方向确定，包括：

所述参考存储单元为沿着所述第一方向与所述当前目标存储单元邻近的后一层存储单元阵列中的存储单元及前一层存储单元阵列中的存储单元。

8.根据权利要求1所述的读写方法，其特征在于，预先建立所述LLR表的方法为：

对存储器进行读取测试，在某一存储时间下，获取已经知道准确编码的当前目标存储单元以及该当前目标存储单元邻近的存储单元各自的阈值电压分布及分布态，根据与该当前目标存储单元邻近的存储单元对于该当前目标存储单元分布态的影响确定当前目标存储单元的综合分布态，根据综合分布态计算得到不同阈值电压分区的LLR值；获取不同的存储时间下对应的阈值电压分区和综合分布态，从而得到输入量为：存储时间、阈值电压分区和综合分布态，输出量为LLR值的LLR表。