[发明专利]具有气隙的半导体元件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件结构，包括：

一导电结构，设置在一半导体基底上；

一导电插塞，设置在该导电结构上，其中该导电插塞电性连接到该导电结构；

一第一间隙子，形成在该导电插塞的一侧壁表面；

一蚀刻终止层，设置在该半导体基底上，其中该蚀刻终止层邻接该第一间隙子；以及

一第一层间介电层，设置在该蚀刻终止层上，并靠近该导电插塞设置，其中该第一层间介电层与该第一间隙子以一气隙而相互间隔设置。

2.如权利要求1所述的半导体元件结构，还包括：

一第二间隙子，设置在该蚀刻终止层上，其中该第二间隙子位在该第一间隙子与该第一层间介电层之间，且该气隙位在该第二间隙子上。

3.如权利要求2所述的半导体元件结构，其中，该第二间隙子在一方向上并未与该导电结构重叠，该方向垂直于该半导体基底的一上表面。

4.如权利要求2所述的半导体元件结构，还包括：

一第二层间介电层，设置在该第一层间介电层上，其中该第二层间介电层、该第一层间介电层、该第二间隙子以及该第一间隙子包围该气隙设置。

5.如权利要求4所述的半导体元件结构，还包括：

一导电接触点，设置在该导电插塞上，其中该第二层间介电围绕该导电接触点设置，且该导电接触点电性连接到该导电插塞。

6.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中，该蚀刻终止层的一下表面高于或齐平于该导电结构的一上表面。

7.一种半导体元件结构，包括：

一导电结构，设置在一半导体基底上；

一导电插塞，设置在该导电结构上，其中该导电插塞电性连接到该导电结构；

一第一间隙子，形成在该导电插塞的一侧壁表面上；

一蚀刻终止层，设置在该导电结构上，其中该蚀刻终止层邻接该第一间隙子的一侧壁表面；

一第一层间介电层，设置在该蚀刻终止层上，并靠近该第一间隙子设置，其中该第一层间介电层与该第一间隙子以一气隙而相互间隔设置；以及

一第二层间介电层，设置在该第一层间介电层上，其中该第二层间介电层密封该气隙。

8.如权利要求7所述的半导体元件结构，还包括：

一第二间隙子，形成在该第一间隙子的该侧壁表面上，其中该第二间隙子位在该气隙与该蚀刻终止层之间。

9.如权利要求8所述的半导体元件结构，其中，该第二间隙子的一材料不同于该第一间隙子的一材料以及该第一层间介电层的一材料。

10.如权利要求7所述的半导体元件结构，其中，该第一间隙子与该蚀刻终止层由氮化硅所制。

11.如权利要求7所述的半导体元件结构，其中，该蚀刻终止层的一下表面高于或齐平于该第一间隙子的一下表面。

12.如权利要求7所述的半导体元件结构，其中，该气隙在一方向上并未与该导电结构重叠，该方向垂直于该半导体基底的一上表面。

13.一种半导体元件结构的制备方法，包括：

形成一导电结构在一半导体基底上；

形成一第一层间介电层在该导电结构上；

形成一第一间隙子与一导电插塞以穿经该第一层间介电层，其中该导电插塞电性连接到该导电结构，且该第一间隙子位在该第一层间介电层与该导电插塞之间；

移除该第一层间介电层的一部分以形成一间隙，该间隙邻近该第一间隙子设置；

以一能量可移除材料充填该间隙；以及

执行一热处理制程，以将该能量可移除材料转换成一第二间隙子，其中在执行该热处理制程之后，该第一间隙子与该第一层间介电层以一气隙而相互间隔设置。